Leistungselektronik

Neue Testvorschriften für Leistungshalbleiter

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IPM für Kleinantriebe

15.05.2001- FachartikelVor einigen Jahren wurden die ersten intelligenten Leistungsmodule auf dem Halbleitermarkt vorgestellt. Die Hauptmerkmale und das Ziel dieser IPM’s (Intelligent Power Modules) war, eine Vielzahl von Funktionen, insbesondere Schutzfunktionen, zu integrieren, um die Umrichter kompakter und zuverlässiger werden zu lassen und die Entwicklungszeit zu verkürzen. Mittlerweile sind die IPM’s in ein weites Leistungsspektrum vorgedrungen und sind eine ernst zu nehmende Konkurrenz zu den Standard-IGBT-Modulen. mehr...

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Noch mehr Power mit der Trench-Generation

15.05.2001- FachartikelDer Halbleitermarkt für Power-MOSFETs wird auch in der Zukunft überproportionale Wachstumsraten zeigen. Als Europäischer Marktführer von Diskreten Bauelementen führt Philips Semiconductors gegenwärtig die neue Trench-Generation von Power-MOSFETs ein, die neben den schon im Markt etablierten 30-V- und 55-V-Familien das Produktspektrum um 100-V- bzw. 200-V-Typen erweitert. Das gesamte Produktspektrum eignet sich für den Einsatz in vielfältigen industriellen Applikationsgebieten, wo der Anwender höchste Leistung benötigt. Durch die Verringerung des Durchlaßwiderstandes bei gleichzeitiger Minimierung der Schaltverluste eignet sich die neue Trench-Generation besonders für den Einsatz in Schaltnetzteilen, was nachfolgend als ein Applikationsbeispiel näher erläutert wird. mehr...

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Anwendung von MOSFET-Lastschaltern

15.05.2001- FachartikelDer Bedarf an immer mehr Funktionen bei Notebooks, Zellulartelefonen und PDAs kollidiert frontal mit der maximalen Betriebszeit zwischen den Aufladungen. Die betroffenen Hersteller müssen immer längere Batterielaufzeiten bieten, obwohl die zahlreichen Funktionen den Strombedarf immer höher treiben. Deren Lösung für dieses Problem ist einfach: Nicht benötigte Applikationen werden abgeschaltet. mehr...

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Die Rolle der Leistungselektronik im Automobil der Zukunft, Teil 1

15.05.2001- FachartikelDurch das rasante Wachstum an Kfz-Ausstattungsmerkmalen und dem mit ihnen verbundenen Bedarf an elektrischer Leistung stößt das existierende 12-V-Bordnetz an seine Grenzen. Zu einem bestimmten Zeitpunkt wird es unumgänglich werden, eine höhere komplementäre Bordspannung für die Hochleistungsverbraucher einzuführen, um die Zuverlässigkeit der elektrischen Versorgung zu gewährleisten. mehr...

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ACS – Vom altgedienten Triac zum High-Tech-Switch

15.05.2001- FachartikelDer gute alte Triac mausert sich dank neuester ASD-Technologie zum High-Tech-Switch. Die Zukunft heißt AC-Switch, stellt eine performanceoptimierte Alternative zum Standard-Triac oder Relais dar und kommt aus dem Hause STMicroelectronics. mehr...

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Direktes Dimmen von Energiesparlampen: ohne Beeinträchtigung der Zuverlässigkeit

14.05.2001- FachartikelEin neues Konzept zum direkten Dimmen von Energiesparlampen arbeitet mit vorhandenen Power-MOS- Wanddimmern und kommt ohne separates Twisted-Pair-Kabel aus. Thema des vorliegenden Beitrags ist ein kosteneffektives, sogenanntes direktes Dimmkonzept für Energiesparlampen, das mit Wanddimmern in Power-MOS-Technik arbeitet und kein zusätzliches Twisted-Pair-Kabel benötigt. mehr...

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Neuheiten von der PCIM 2000

13.05.2001- FachartikelAuch in diesem Jahr warteten die Aussteller auf der PCIM (21. Internationale Fachmesse und Konferenz für Leistungselektronik, Intelligente Antriebstechnik und Power Quality), die vom 6. bis 8. Juni 2000 in Nürnberg stattfand, mit vielen neuen Lösungen auf. Einige der interessantesten Neuheiten vom Power-MOSFET über IGBTs, Dioden, Leistungsmodulen und Ansteuerungen bis hin zu Kühlkörpern, Hochstrom-Widerständen und Kondensatoren lernen Sie im folgenden Artikel kennen. mehr...

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MessComp – Highlights

12.05.2001- FachartikelAlle Jahre wieder - das Treffen der Messtechnik-Interessierten in Wiesbaden auf der MessComp. Zum 14. Mal werde ich diese Veranstaltung Anfang September besuchen, aber zum ersten Mal fahre ich dort mit der sicheren Erkenntnis hin, dass diese Messe dem Namen voll gerecht wird: nämlich der Einheit von Messtechnik und Computer. mehr...

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Mdmesh – Transistoren

12.05.2001- FachartikelEin entscheidender Durchbruch auf dem Gebiet der Leistungs-MOSFET-Technologie ist STMicroelectronics mit der Kombination einer neuen vertikalen Drain-Struktur und dem bereits eingeführten Mesh-Overlay-Layout gelungen. Die daraus resultierende Technologie trägt die Bezeichnung MDmesh (Multiple Drain mesh) und basiert auf einer neuartigen Struktur mit vertikalen, p-dotierten Streifen, die in mehrere Bereiche gegliedert sind. mehr...

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IGBT oder IGCT

12.05.2001- FachartikelIm Bereich der Leistungshalbleiter stoßen IGBTs in Leistungsbereiche vor, die bisher den GTOs vorbehalten waren. Zeitgleich zu diesen Entwicklungen wurden auch IGCT-Halbleiterschalter auf dem Markt vorgestellt. Diese sind mit Leistungsdaten 2200 A/4500 V und 1800 A/5500 V als rückwärtsleitende und mit 4000 A/4500 V als asymetrisch sperrende Halbleiterschalter erhältlich. Eine Weiterentwicklung zu höherer Strombelastung und zu höheren Sperrspannungen ist abzusehen. mehr...

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OptiMOS – ein neuer Standard bei Leistungs-MOSFETs

12.05.2001- FachartikelUnter der Bezeichnung OptiMOS stellt Infineon Technologies eine neue Generation von n-Kanal-Leistungs-MOSFETs vor, deren neuartiges Zellkonzept sowohl in der Herstellung als auch in der Anwendung eine Reihe signifikanter Vorteile mit sich bringt. mehr...

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IGBTs zuverlässig vor Kurzschlüssen schützen

10.05.2001- FachartikelDer Beitrag beschreibt experimentelle Beobachtungen und zeigt, dass der Ausfall eines IGBT unter Kurzschluss-Bedingungen vom Zeitpunkt des Turn-Off Impulses abhängt. Die physikalischen Zusammenhänge dieses Verhaltens werden mit Hilfe von numerischen Mixed-Mode Simulationen erklärt. Untersucht und experimentell beschrieben wird ferner die Anwendung eines zweistufigen Gate-Signals zur Verhinderung von Baustein-Ausfällen bei Kurzschluss-Situationen. mehr...

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