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Speicher

Mit Hafniumoxid voll CMOS-kompatibel

FeFETs sind CMOS-kompatible Speicherlösungen, die auf der ferroelektrischen Kristallphase dotierten Hafniumoxids beruhen.
Speicher-Mit Hafniumoxid voll CMOS-kompatibel

FeFETs läuten eine neue Ära für nichtflüchtige Speicher ein

11.07.2018- FachartikelDie Ferroelectric Memory GmbH (FMC) aus Dresden stellt mit ihren FeFETs (ferroelektrischen FETs) eine Speichertechnologie vor, die die ferroelektrischen Eigenschaften einer Kristallkonfiguration von dotiertem Hafniumoxid (HfO2) nutzt. Skalierbar, CMOS-kompatibel und rein auf einem Feldeffekt beruhend lassen sich mit der Technologie Speicher mit hoher Geschwindigkeit und signifikant reduzierter Leistungsaufnahme fertigen. mehr...

FMCs CEO Dr. Stefan Müller is confident the FeFET will start a new era of non-volatile memories.
Speicher-Emerging memory technologies with tremendous potential

FeFET – Next generation low power consumption non-volatile memory

11.07.2018- FachartikelThis technology has tremendous potential: Ferroelectric Memory Company (FMC) of Dresden presents FeFETs (ferroelectric FETs), a memory technology that uses the ferroelectric properties of a crystalline configuration of doped hafnium oxide (HfO2). Scalable, CMOS compatible and writing/reading purely based on a field effect, the technology allows the fabrication of high speed memory devices with significantly reduced power consumption. mehr...

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Die DDR4-2666-Speichermodule von Innodisk ermöglichen Transferraten bis zu 2666 MT/s.
Speicher-Transferraten bis zu 2666 MT/s

DDR4-2666-Speichermodule

30.04.2018- ProduktberichtDatenübertragungsraten von bis zu 2666 MT/s (Megatransfers pro Sekunde) ermöglichen die bei SE Spezial-Electronic erhältlichen DDR4-2666-Speichermodule des taiwanesischen Herstellers Innodisk. mehr...

Bild 3: Ein USB 3.1 Stick mit integrierter Sicherheit wie der PU-50n DP macht USB als Interface für Wartungsaufgaben sicher gegen Missbrauch.
Speicher-Sicher booten, loggen und updaten

Neue Flash-Speicher mit Sicherheitsfunktionen an Bord

24.04.2018- FachartikelDie Vernetzung von Geräten – Stichwort IIoT – konfrontiert Entwickler von Embedded-Systemen mit zahlreichen Sicherheitsanforderungen. Flash-Speicherhersteller Swissbit integriert jetzt Sicherheitsfunktionen in Wechseldatenträgern wie Memory-Cards oder USB-Sticks und erläutert im folgenden Beitrag Vorteile und Einsatzbereiche. mehr...

Blume Elektronik vertreibt die SRAM-Speicher von Netsol.
Speicher-SRAM-Speicher

Netsol-Speicher bei Blume Elektronik

20.04.2018- ProduktberichtBlume Elektronik erweiitert sein Portfolio um SRAMs von Netsol. Diese eignen sich für Anwendungen mit erhöhten Anforderungen. mehr...

Die Nodelay-Schreibfunktion der Excelon-Familie von Cypress verhindert Datenverluste bei Stromausfall.
Speicher-Für kritische Datenprotokollierung

Nicht-flüchtige Speicherbausteine

20.03.2018- ProduktberichtDie F-RAMs der Excelon-Familie von Cypress bieten hohe Geschwindigkeit, Zuverlässigkeit und Leistung und eignen sich für die kritische Datenprotokollierung. mehr...

Die Redaktion ist für Sie vor Ort auf der ISSCC 2018 in San Francisco und berichtet nicht nur über SRAMs
Speicher-7-nm-FinFET-SRAM hergestellt mit EUV-Lithographie

EUV-Premiere bei SRAMs auf der ISSCC 2018

14.02.2018- FachartikelSamsung hat auf der International Solid State Circuits Conference (ISSCC) erstmals ein SRAM-Design vorgestellt, das den Einsatz der Extreme-Ultraviolet-Lithographie (EUVL) beinhaltet. Die Redaktion berichtet live aus San Francisco. mehr...

Die Inno-REC 3MV2-P-Serie von Innodisk bietet eine sehr effektive Datensicherheitsfunktion.
Speicher-Zuverlässige Datensicherung und hohe Videoqualität

Speicherlösung für Überwachungsanlagen

09.02.2018- ProduktberichtEine Speicherlösung für Überwachungsanwendungen, bei denen es nicht nur auf eine schnelle und zuverlässige Datensicherung, sondern auch auf eine möglichst hohe Videoqualität ankommt, stellt SE Spezial-Electronic vor. mehr...

Toshiba erweitert sein Angebot an Embedded-NAND-Flash um Speicher für Automotive-Anwendungen, die in einem erweiterten Betriebstemperaturbereich arbeiten.
Automotive-Konform nach Jedec UFS 2.1

NAND-Flash-Speicher mit 256 GByte für Automotive-Anwendungen

24.01.2018- NewsDie von Toshiba Memory Europe vorgestellten Embedded-NAND-Flash-Speicher erfüllen die Anforderungen nach AEC-Q100 Grade 2 und arbeiten im erweiterten Temperaturbereich. mehr...

Das Architekturkonzept für die Erweiterung, die die Fertigungskapazitäten von Swissbit verdreifachen wird.
Speicher-Fertigung von Speicherlösungen

Swissbit erweitert seinen Standort Berlin

22.01.2018- NewsDer Schweizer Speicherhersteller baut seine Entwicklungs- und Produktionsstätte in Berlin aus. Die Investitionen verdreifachen die bisherigen Fertigungskapazitäten. mehr...

3D-NAND-Flash
Speicher-32-Layer-Chips entwickelt

China zieht bei 3D-NAND-Flash-Chips nach

15.11.2017- NewsTechnologischer Durchbruch für die chinesische Speicherchip-Branche: Dem Konzern Yangtze River Storage Technology (YMTC) gelang die Entwicklung eines 32-Layer-3D-NAND-Flash-Chips – der erste Grundstein, um in den internationalen 3D-NAND-Flash-Markt einsteigen zu können. mehr...

Hyper-Bus
Speicher-Einer für alle

Hyper-Bus für Flash und DRAM

20.10.2017- FachartikelBei Benutzerschnittstellen setzen sich zunehmend grafische Darstellungsformen durch. Doch das erfordert den Einsatz von Steuerplattformen für die entsprechenden Embedded-Systeme und führt oft zu einer hohen Zahl von Speicheranschlüssen. Eine Speicherbus-Technologie unterstützt sowohl Flash als auch DRAM. mehr...

Mit dem Kauf von Sidense erweitert Synopsys sein IP-Portfolio um OTP-NVM-IP für Prozesstechnologien von 180 nm bis 16 nm.
Speicher-Nichtflüchtiger Speicher

Synopsys erweitert Design-Ware-IP-Portfolio mit dem Kauf von Sidense

18.10.2017- NewsSynopsis hat die Sidense Corporation erworben, einen Anbieter von einmalig programmierbarem, nichtflüchtigem Speicher (one-time programmable, OTP). Zum Einsatz kommt die Technologie im Automotive- und Mobilfunksektor sowie bei industriellen und IoT-Anwendungen. mehr...

Bild 2: Die Fehlerrate von LPDRAM hängt ab von Faktoren wie SoC, thermischem Design, DRAM-Dichte sowie DRAM-Prozessierung und Test.
Speicher-Mehr Effizienz, weniger Fehler

LPDDR4/LPDDR4x-Speicher mit Fehlerkorrektur ECC

15.09.2017- FachartikelBei DRAM-Speichern mit Fehlerkorrektur (Error Correcting Code, kurz: ECC) werden Einzelbitfehler erkannt und automatisch korrigiert, um mehr Zuverlässigkeit zu erreichen. Dies ermöglicht eine höhere Speicherdichte und -bandbreite. Zudem unterstützen Einsparungen im Standby- und im Refresh-Verbrauch Niedrigenergiefunktionen. mehr...

Der Industrial iNAND 7250 EFD ist mit Kapazitäten von 8 GB bis 64 GB erhältlich und unterstützt die e.MMC-5.1-Schnittstelle.
Speicher-Zuverlässigkeit und lange Lebensdauer

eMMCs für den industriellen Einsatz

06.09.2017- FachartikelKompakte eMMC-Bausteine finden immer mehr ihren Weg in robuste Industrierechner, kompakte Embedded-Systeme und mobile, tragbare Geräte. Die Speicher zeichnen sich durch eine hohe Datenintegrität, einen erweiterten Temperaturbereich und eine hohe Lebensdauer aus. MSC Technologies setzt dabei auf die Industrial-iNAND-7250-Serie von Sandisk. mehr...

Magnetbandspeicher
Speicher-20 Mal höhere Speicherdichte

IBM erzielt Weltrekord bei Magnetbandspeicher-Technologien

14.08.2017- NewsAuf der 28. Magnetic-Recording-Konferenz in Japan haben Wissenschaftler von IBM Research erstmals Daten mit einer Speicherdichte von 201 Gigabit pro Quadratzoll (rund 6,45 cm²) auf einen sogenannten Sputtered-magnetic-Tape-Prototypen geschrieben. Dies entspricht einer Erhöhung der Speicherdichte um das mehr als 20-fache im Vergleich zu kommerziell erhältlichen Magnetband-Speichersystemen. mehr...

Western Digital
Speicher-Geplante Fabrik in Yokkaichi

Toshiba investiert 1,76 Millarden Dollar – und schließt Western Digital aus

08.08.2017- NewsIm Streit zwischen Toshiba und Western Digital spitzt sich die Lage zu: Toshiba gab bekannt, in Equipment für einen Fab 6-Reinraum in einer geplanten Fabrik in Yokkaichi zu investieren – ohne den Fertigungspartner in Sachen NAND-Flash-Technologie daran zu beteiligen. mehr...

Toshiba stellt mit dem 96-Layer-3D-Flashspeicher die vierte Generation seiner BiCS-Speicher vor, die Kapazitätserhöhungen von etwa 40 % pro Chip erreichen.
Speicher-BiCS-Flash der vierten Generation

Toshiba stellt 3D-Flashspeicher mit 96 Layern vor

11.07.2017- NewsToshiba hat einen Prototyp eines gestapelten 96-Lagen-3D-Flashspeichers vorgestellt. Der Speicher soll die Marktnachfrage und die Leistungsanforderungen von Smartphones, Tablets, Speicherkarten sowie SSD-Produkten im industriellen und im Konsumerbereich bedienen. mehr...

Die Embedded Multimedia-Karte EM-20 von Swissbit verfügt über einen industrietauglichen Controller und lässt sich optional im pSLC-Modus betreiben.
Speicher-Speicher im BGA-Gehäuse

Industrielle Embedded Multimedia-Karte als Bootmedium

28.06.2017- ProduktberichtMit der Embedded Multimedia-Karte (EMMC) EM-20 stellt Swissbit ein Bootmedium für industrielle Anwendungen vor. Die Karte soll als Ersatz für bisher häufig verwendete NAND-Speicher-ICs dienen. mehr...

Der taiwanesische Speichermedienhersteller ATP verlegt seine Europazentrale ins oberbayerische Unterschleißheim.
Speicher-Hersteller von Flash-Speichermedien

ATP Electronics verlegt Europazentrale nach Bayern

08.06.2017- NewsATP, taiwanesischer Hersteller von NAND-Flash- und DRAM-Modulen, verlegt seine Europazentrale ins oberbayerische Unterschleißheim und erweitert sie bei dieser Gelegenheit. Hintergrund ist, dass Europa als Zielmarkt für das Unternehmen immer wichtiger wird. Vor allem die 3D-NAND-Technologie sei hier laut ATP besonders nachgefragt. mehr...

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