Die IPM-Technologie bietet eine Komplettlösung einschließlich eines wassergekühlten 3-Phasen-SiC-MOSFET-Moduls mit integrierten Gate-Treibern. Das 3-Phasen-SiC-MOSFET-IPM mit 1200 V/450 A, zeichnet sich durch niedrige Leitungsverluste mit 3,25 mΩ Einschaltwiderstand und niedrige Schaltverluste mit 8,3 mJ Einschalt- beziehungsweise 11,2 mJ Ausschaltenergie bei 600V/300A aus. Das Modul reduziert die Verluste um mindestens den Faktor drei im Vergleich zu IGBT-Leistungsmodulen. Es ist wassergekühlt durch eine leichte AlSiC-Stift-Finnen-Basisplatte für einen thermischen Übergangswiderstand von 0,15 °C/W. Das Leistungsmodul ist für eine Sperrschichttemperatur von bis zu +175 °C ausgelegt. Das IPM widersteht Isolationsspannungen bis zu 3600 V (50 Hz, 1 min).

Der eingebaute Gate-Treiber enthält drei isolierte On-Board-Stromversorgungen (eine pro Phase) mit einer Leistung von jeweils bis zu 5 W pro Phase

Der eingebaute Gate-Treiber enthält drei isolierte On-Board-Stromversorgungen (eine pro Phase) mit einer Leistung von jeweils bis zu 5 W pro Phase. Cissoid

Der eingebaute Gate-Treiber enthält drei isolierte On-Board-Stromversorgungen (eine pro Phase) mit einer Leistung von jeweils bis zu 5 W pro Phase, so dass das Leistungsmodul bei bis zu 25 kHz und bei Umgebungstemperaturen von bis zu +125 °C betreibbar ist. Ein Spitzen-Gate-Strom von bis zu 10 A und eine Immunität gegen hohe dV/dt (>50 kV/µs) ermöglichen ein schnelles Schalten des Leistungsmoduls und geringe Schaltverluste. Schutzfunktionen wie Unterspannungssperre (UVLO), aktive Miller-Klemmung (AMC), Entsättigungserkennung und Soft-Shut-Down (SSD) sollen die sichere Ansteuerung und den zuverlässigen Betrieb des Leistungsmoduls im Falle von Fehlerereignissen sicherstellen.