Die Volumenproduktion von Cool-GaN 400 V- und 600 V-HEMTs im E-Modus wird bis Ende 2018 starten. (Bild: Infineon)
Entscheidende Vorteile von Galliumnitrid (GaN) sind unter anderem die hohe Leistungsdichte, gute Effizienz und die Möglichkeit zur Reduzierung der Gesamtsystemkosten. Bis Ende 2018 plant Infineon, mit seinen Cool-GaN-Produkten in Serienfertigung zu gehen. Entwicklungsmuster der zuverlässigen GaN-Produkte für Anwendungen im Bereich Telekommunikation, Adapter, kabelloses Laden und Server sind bereits erhältlich.
Die 400-V-HEMTs soll mit 70 mΩ und unterseitig gekühltem TO-Leadless-Gehäuse in Produktion gehen als auch als oberseitig gekühltes DSO-20-87 für die Oberflächenmontage. 600-V-HEMTs gibt es im oberseitig gekühlten DSO-20-87-Gehäuse und unterseitig gekühlten DSO-20-85. Zusätzlich ist diese HEMT-Familie mit unterseitig gekühltem TO-Leadless- sowie dem DFN 8×8-Gehäuse erhältlich. Diese beiden Gehäusevarianten sind neben 70 mΩ auch in der Widerstandsklasse 190 mΩ erhältlich. Bei 100 ppm soll die voraussichtliche Lebensdauer der Bauelemente rund 55 Jahre betragen. Neben den GaN-Produkten stellte Infineon auf der PCIM 2018 auch seine Automotive-qualifizierten Cool-SiC-Schottky-Dioden vor. Sie sollen vor allem in On-Board-Chargern in Hybrid- und Elektrofahrzeugen zum Einsatz kommen. Die vorgestellte Produktfamilie basiert auf der fünften Generation der Schottky-Dioden des Unternehmens. Dank eines neu entwickelten Passivierungsschicht-Konzepts bietet die Familie optimierten Feuchtigkeits- und Korrosionsschutz. Erste Bauelemente sind ab September 2018 für die 650-V-Klasse mit 3-poligem Standard-TO247-Gehäuse verfügbar.
(na)
