Der deutsche Halbleiterhersteller Infineon schloss mit dem amerikanischen Technologieunternehmen Cree einen Liefervertrag für Siliziumkarbid-Wafer. Im Rahmen der langfristig geschlossenen Vereinbarung liefert Cree SiC-Wafer mit einem Durchmesser von 150 mm, passend für die Fertigungslinien von Infineon. Damit kann Infineon sein Angebot an Siliziumkarbid-basierten Produkten weiter ausbauen, um Märkte wie etwa Photovoltaik-Wechselrichter oder Elektromobilität zu adressieren.

Siliziumkarbid-basierte (SiC) Halbleiter eignen sich für den Einsatz im Bereich der Leistungsumwandlung sowie in Elektrofahrzeugen.

Siliziumkarbid-basierte Halbleiter eignen sich für den Einsatz im Bereich der Leistungsumwandlung sowie in Elektrofahrzeugen. Infineon

SiC-basierte Halbleiter können den Wirkungsgrad in Power-Elementen von Industrieantrieben, Elektrofahrzeugen etc. beachtlich erhöhen. Der Bedarf stieg in den letzten Jahren kontinuierlich an. Verglichen mit siliziumbasierten Leistungshalbleitern lässt sich durch SiC-Bauelemente Energie einsparen. Zudem ermöglicht die geringere Größe der passiven Komponenten eine erhöhte Systemdichte. Produkte auf Siliziumkarbid-Basis kommen in den nächsten Jahren verstärkt in Anwendungsgebieten wie Robotik,  Ladeinfrastruktur sowie in industriellen Stromversorgungen zum Einsatz.