Cree und ST Microelectronics haben sich auf eine mehrjährige Vereinbarung zur Herstellung und Lieferung von SiC-Wafern (Siliziumcarbid-Wafer) geeinigt. Im Rahmen der Abmachung wird Cree SiC-Wafer mit einem Durchmesser von 150 mm an ST Microelectronics liefern. Das Gesamtvolumen der Vereinbarung beläuft sich auf rund 250 Millionen US-Dollar, wobei Crees Tochterunternehmen Wolfspeed die Wafer produziert. Der Halbleiterhersteller ST Microelectronics reagiert damit auf die hohe Nachfrage nach Produkten aus dem Bereich Leistungselektronik auf Basis von SiC-Technologie.

Hauptaugenmerk des Liefervertrags für Wafer von Wolfspeed liegt auf dem Automotive-Markt.

Hauptaugenmerk des Liefervertrags für Wafer von Wolfspeed liegt auf dem Automotive-Markt. Cree

Gerade im Automotive-Bereich will der europäische Halbleiterhersteller sein Geschäft ausbauen. „ST ist heute das einzige Halbleiterunternehmen, das SiC-Technologie in Automotive-Qualität in der Serienproduktion verwendet“, erklärt Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von ST Microelectronics. „Diese Vereinbarung mit Cree wird unsere Flexibilität verbessern, unsere Ambitionen und Pläne aufrechterhalten und dazu beitragen, die Marktdurchdringung von SiC in Automobil- und Industrieanwendungen zu erhöhen.“

Auch Gregg Low, CEO von Cree, begrüßt die Zusammenarbeit: „Wir konzentrieren uns weiterhin darauf, die Akzeptanz von Lösungen auf SiC-Basis zu erhöhen, und diese Vereinbarung ist ein Beweis für unsere Mission. Dies ist die dritte mehrjährige Vereinbarung, die wir im vergangenen Jahr unterzeichnet haben, um den Übergang der Branche von Silizium zu Siliziumkarbid zu unterstützen. Als weltweit führender Anbieter von Siliziumkarbid baut Cree seine Kapazitäten weiter aus, um den wachsenden Marktanforderungen, insbesondere in Industrie- und Automobilanwendungen, gerecht zu werden. Wir freuen uns sehr, ST Microelectronics weiterhin zu unterstützen, da wir beide in die Beschleunigung dieses Marktes investieren.“

Bereits im Februar 2018 konnte Cree den deutschen Halbleiterhersteller Infineon an sich binden. Mit einer ähnlichen Vereinbarung einigten sich die beiden Unternehmen auf die Lieferung von SiC-Wafern mit einem Durchmesser von 150 mm.