Die SiC-MOSFETs mit 15 mΩ und 60 mΩ Einschaltwiderstand (C3M0060065K, C3M0060065D, C3M0060065J, C3M0015065D und C3M0015065K) basieren auf der C3M-Technologie der dritten Generation von Cree / Wolfspeed. Sie sollen laut Hersteller bis zu 20 Prozent niedrigere Schaltverluste als vergleichbare SiC-Bauelemente bieten. Der geringe RDS(on) soll für einen höheren Wirkungsgrad sorgen und die Leistungsdichte der Anwendungen erhöhen.

Der C3M0015065D ist einer von fünf vorgestellten Siliziumkarbid-MOSFETs und hat einen Einschaltwiderstand von 15 mΩ.

Der C3M0015065D ist einer von fünf vorgestellten Siliziumkarbid-MOSFETs und hat einen Einschaltwiderstand von 15 mΩ. Cree

Im Vergleich zu Silizium-Bausteinen reduzieren die 650-V-SiC-MOSFETs die Schaltverluste um 75 Prozent und die Leitungsverluste um 50 Prozent. Dies führt potenziell zu einer Steigerung der Leistungsdichte der Endanwendung um bis zu 300 Prozent. Damit können Entwickler die hohen Effizienzstandards der Branche erfüllen, einschließlich der 80-Plus-Titanium-Anforderungen für die Serverleistung.

Zum Einsatz kommen die Leistungselektronik-MOSFETs auch in On-Board-Ladegeräten (OBC) in Elektroautos, wo sie unter anderem eine Reduzierung der Baugröße ermöglichen. Auch ist es mit den Bauelementen möglich, bidirektionale OBCs zu entwickeln, ohne dabei Gewicht und Komplexität des Ladegerätes zu beeinträchtigen. Die MOSFETs sind nach AEC-Q101 zertifiziert. Einsatzgebiet für das 650-V-Bauteil sind auch industrielle Anwendungen wie etwa Allzweck-Schaltnetzteile (SMPS). Verfügbar sind die MOSFETs ab sofort in Gehäusen für die Durchsteck- und Oberflächenmontage. Die maximale Sperrschichttemperatur der SiC-MOSFETs liegt bei +175 °C.