Prädestiniert für den Einsatz als Netzadapterschalter: Der Si7137DP.
„Vishay präsentiert das erste Bauteil auf der Basis seiner P-Kanal-Trench-FET-Gen-III-Technologie, einen 20-Volt-Typ mit dem niedrigsten On-Widerstand, der jemals bei einem P-Kanal-Mosfet im SO-8-Gehäuse gemessen wurde“, ist sich Spiro Zefferys, Produktmanager von Vishay in Malvern, Pennsylvania sicher: Der Si7137DP bietet einen On-Widerstand von 1,9 Milliohm bei 10 Volt, 2,5 Milliohm bei 4,5 Volt sowie 3,9 Milliohm bei 2,5 Volt. Der Baustein ist als Netzadapterschalter und für Lastschalteranwendungen in Notebook-Computern und industriellen Systemen vorgesehen. Netzadapterschalter sind immer eingeschaltet und verbrauchen Strom. Der niedrigere On-Widerstand des Si7137DP resultiert in einer entsprechend niedrigeren Leistungsaufnahme; dadurch läßt sich Strom sparen, zudem verlängert sich die Akkulaufzeit. Bisher kamen in der Regel
in Applikationen für die eigentlich ein 20-Volt-P-Kanal-Leistungsmosfet ausgereicht hätte ein 30-Volt-Typ zum Einsatz, weil diese Typen den notwendigen, niedrigen On-Widerstand aufwiesen. Mit dem Si7137DP hat sich das geändert. Der Hersteller bietet
das Bauteil in Produktionsstückzahlen an,
weitere P-Kanal-Trench-FET-Gen-III-Leis-tungsmosfets folgen (eck)
