DRAM

Die Investitions- und Preisentwicklung des DRAM-Marktes von 2009 bis 2018 laut einer Prognose von IC Insights. IC Insights

Der DRAM-Durchschnittsverkaufspreis (ASP) lag im August 2018 bei 6,79 Dollar, was einem Preisanstieg von 165 Prozent gegenüber dem August 2016 entspricht. Trotz einer Verlangsamung der ASP-Wachstumsrate, zeigten auch die ersten acht Monate des Jahres 2018 einen soliden Aufwärtstrend. Doch der erfahrungsgemäß zyklisch verlaufende DRAM-Markt zeigt nach zwei Jahren stetiger Zuwächse erste Anzeichen für einen Abwärtstrend.

Die seit Jahren steigenden Investitionen zur Erweiterung und zum Ausbau neuer Produktionskapazitäten dienen als Indikator für einen bevorstehenden Abwärtstrend. 2017 stiegen die DRAM-Investitionen um 81 Prozent auf 16,3 Milliarden Dollar, 2018 sollen sie sich um weitere 40 Prozent auf 22,9 Milliarden Dollar erhöhen. In der Regel führen Investitionsausgaben in dieser Höhe zum Aufbau von deutlichen Überkapazitäten, gefolgt von einem raschen Preisverfall, wie auch IC Insights prognostiziert.

Anfang dieses Jahres präsentierte Micron Zahlen, nach denen für die Herstellung von DRAM am Sub-20-nm-Technologieknoten 35 Prozent mehr Maskenebenen, 80 Prozent mehr Reinraumfläche pro Wafer und 110 Prozent mehr Nicht-Lithographieschritte pro kritischer Maskenebene nötig sind. Weil die Bitvolumenzunahmen beim Übergang in den Sub-20-nm-Technologiebereich bedeutend geringer ausfallen als bei vorherigen Wechseln, müssen Lieferanten zudem mehr Geld investieren.

Auch die chinesischen IC-Lieferanten Innotron und JHICC werden in diesem Jahr an diesem Speichermedien-Markt partizipieren, obgleich sie noch nicht völlig mit Marktgrößen wie Samsung oder Micron konkurrieren können.

Schätzungen zufolge macht China künftig 40 Prozent des DRAM-Marktes und 35 Prozent des Flash-Speichermarktes aus. Ob die chinesischen Unternehmen nur nationale Interessen bedienen oder perspektivisch auch global agieren, bleibt abzuwarten.