Verfügbar sind die N-Kanal-Power-MOSFET-Typen TSM110NB04DCR, TSM150NB04DCR, TSM250NB06DCR und TSM300NB06DCR mit 40 V und 60 V für Ströme von 25 A bis 38 A. Zur Reduzierung von Leitungsverlusten weisen die MOSFETs einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand zwischen 15 und 30 mΩ auf. Ihre maximale Sperrschichttemperatur beträgt +150 °C. Sie ermöglichen aufgrund der niedrigen Gate-Ladung schnelle Schaltfrequenzen, entsprechen der RoHS-Richtlinie und sind halogenfrei.
Die Bauelemente sind für den Einsatz in der BLDC-Motorsteuerung, in DC/DC-Wandlern und im Power-Management von Batterien sowie zur sekundären Synchrongleichrichtung geeignet.
(aok)
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