Dual N-Channel Power MOSFET

Die Dual N-Channel Power MOSFETs von Taiwan Semiconductor im PDFN56 Dual-Gehäuse bieten eine verbesserte Leistungsdichte. Schukat

Verfügbar sind die N-Kanal-Power-MOSFET-Typen TSM110NB04DCR, TSM150NB04DCR, TSM250NB06DCR und TSM300NB06DCR mit 40 V und 60 V für Ströme von 25 A bis 38 A. Zur Reduzierung von Leitungsverlusten weisen die MOSFETs einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand zwischen 15 und 30 mΩ auf. Ihre maximale Sperrschichttemperatur beträgt +150 °C. Sie ermöglichen aufgrund der niedrigen Gate-Ladung schnelle Schaltfrequenzen, entsprechen der RoHS-Richtlinie und sind halogenfrei.

Die Bauelemente sind für den Einsatz in der BLDC-Motorsteuerung, in DC/DC-Wandlern und im Power-Management von Batterien sowie zur sekundären Synchrongleichrichtung geeignet.