Die Dual-n-und -p-MOSFETs haben niedrige Einshalt-Widerstände von 16 mΩ.

Die Dual-n-und -p-MOSFETs haben niedrige Einshalt-Widerstände von 16 mΩ.HY-Line Power Components

Die Bausteine im kleinen, dünnen TSSOP-8-Gehäuse können bereits mit Gate-Steuerspannungen von nur 1,8 V arbeiten und haben niedrige Einschalt-Widerstände von 16 mΩ (AP9922GEO-HF-3) beziehungsweise 25 mΩ (AP9923GEO-HF-3) bei zulässigen Puls-Spitzenströmen bis 30 A. So ist es möglich, robuste, effiziente und kostengünstige Schutzschaltungen aufzubauen.