1200-V-SiC-MOSFET M1H von Infineon

Der Chip des Typs M1H kommt in den Easy-1B- und 2B-Modulen zum Einsatz. Darüber hinaus bringt der Halbleiterhersteller ein Easy-3B-Modul mit dem M1H-Chip auf den Markt. Damit lässt sich der On-Widerstand der Module verbessern. Die maximale temporäre Sperrschichttemperatur beträgt 175 °C. Im Vergleich zur Vorgängerversion wurde beim M1H eine Anpassung des internen R_G vorgenommen, das dynamische Verhalten ist gleichgeblieben. Die Leistungshalbleiter sind auch in diskreten Gehäusen der Typen TO247-3 und TO247-4 mit On-Widerständen von 7 mΩ, 14 mΩ und 20 mΩ erhältlich. Das liegt unter anderem an dem erweiterten Betriebsbereich am Gate, der gleichzeitig Über- und -Unterschwinger der Gate-Spannung abdeckt. Die Chips sind gemäß Spezifikation avalanche- und kurzschlussbeständig. Damit steht die .XT-Verbindungstechnologie auch für die TO-Bauformen zur Verfügung. Der Chip eignet sich für Solarenergiewandlersysteme, wie beispielsweise Wechselrichter und Anwendungen wie schnelles Laden von Elektrofahrzeugen und für Energiespeichersysteme.