Die 1200-V-SiC-FETs sind mit R<sub>DS(on)</sub>-Werten von 23 mΩ, 30 mΩ, 53 mΩ und 70 mΩ erhältich.

Die 1200-V-SiC-FETs sind mit RDS(on)-Werten von 23 mΩ, 30 mΩ, 53 mΩ und 70 mΩ erhältich. (Bild: Unitedsic)

Leistungskennzahlen der Feldeffekttransistoren sind 1,35 mΩ·cm2 für RDS(on)·A, 0,78 Ω·uJ für RDS(on)·Eoss, 4,5 Ω·pF für RDS(on)·Coss,tr und 0,9 Ω·nC für RDS(on)·Qg. Laut Herstellerangaben weisen die neuen Bauteile den branchenweit niedrigsten Durchlasswiderstand auf. Alle RDS(on)-Optionen (23, 30, 53 und 70 mΩ) werden im 4-poligen Kelvin-Source-TO-247-Gehäuse ausgeliefert. Zusätzlich sind die 53- und 70-mΩ-Varianten im 3-poligen TO-247-Gehäuse erhältlich. Eine gut kontrollierte Wärmeleistung wir durch eine Silber-Sinter-Die-Befestigung und einen Wafer-Thinning-Prozess erreicht. Die SiC-FETs sind im FET-Jet Calculator enthalten, einem kostenlosen Online-Design-Tool, das eine sofortige Bewertung des Wirkungsgrads, der Bauteilverluste und des Anstiegs der internen Sperrschichttemperatur in Bauelementen ermöglicht. Einzelne und parallel geschaltete Bausteine können unter anwenderspezifischen Kühlbedingungen verglichen werden. Alle Bauelemente sind über autorisierte Distributoren erhältlich.

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