Das Halbbrücken-Power-Modul kombiniert 1200-V-SiC-MOSFETs, integrierte Kühlungs-Pin-Fins und Anschlüsse mit geringer Induktivität.

Das Halbbrücken-Power-Modul kombiniert 1200-V-SiC-MOSFETs, integrierte Kühlungs-Pin-Fins und Anschlüsse mit geringer Induktivität. (Bild: NXP)

Ein neues Modul bestehend aus dem isolierten HV-Gate-Treiber GD3160 von NXP und dem Automotive-SiC-MOSFET-Power-Modul Road-Pak von Hitachi soll Lösungen für Power-train-Wechselrichter bereitstellen. Der isolierte Einkanal-Hochspannungs-Gate-Treiber mit erweiterten Funktionen für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs hat eine Nennspannung von bis zu 1700 V und kann einen Gate-Strom von ±15 A schalten. Teil dieses Gate-Treibers mit segmentierten Antrieb ist ein schneller De-Sat-Block, der Kurzschlussereignisse in weniger als 1 µs erkennen und darauf reagieren kann. Er verfügt über SPI programmierbare Antriebs-, Schutz- und Fehlermeldefunktionen wie 2LTO, Soft Shutdown (SSD), De-Sat-Threshold und OTW sowie zusätzliche Schutzfunktionen. Diese sind beispielsweise die integrierte Erfassung der Geräte-Temperatur und verschiedene funktionale Sicherheitsfunktionen, wie analoges BIST, Kommunikations-Watch-Dog und SPI mit CRC. Das Halbbrücken-Power-Modul kombiniert 1200-V-SiC-MOSFETs, integrierte Kühlungs-Pin-Fins und Anschlüsse mit geringer Induktivität. Es ist in drei Varianten mit 580 A, 780 A und 980 A erhältlich. Der GD3160-Halbbrücken-EVB FRDMGD31RPEVM ist an das SiC-Modul angepasst.

E-Mobility: Reichweite

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(Bild: Adobe Stock 204728350, Hüthig)

Wie lässt sich die Reichweite eines E-Autos erhöhen? Höherer Wirkungsgrad durch die richtigen Halbleiter, geringeres Gewicht durch Leichtbau und intelligente Fahrweise sorgen für mehr Reichweite. Welche Technologien dahinter stecken, erfahren Sie hier.

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