In diesem Archiv finden Sie weitere interessante Beiträge rund um Reichweite.

18. Nov. 2022 | 10:40 Uhr
BorgWarner
500 Millionen Dollar

SiC: Auch BorgWarner investiert in Wolfspeed

Nach Jaguar sichert sich auch BorgWarner Siliziumkarbid-Halbleiter von Wolfspeed. Für 500 Millionen US-Dollar ist BorgWarner berechtigt, „jährlich Bauelemente im Wert von bis zu 650 Millionen US-Dollar abzunehmen“.Weiterlesen...

Aktualisiert: 18. Nov. 2022 | 09:30 Uhr
Tacho und Energieanzeige eines E-Autos
Wirkungsgrad, Halbleiter, Gewicht

Wie lässt sich die Reichweite von E-Autos weiter steigern?

Die Reichweite eines E-Autos ist eines der wichtigsten Leistungs- und Verkaufsargumente, wenn Menschen vom Verbrenner zur Elektromobilität wechseln wollen. Mit welchen Mitteln lässt sich die Reichweite noch steigern?Weiterlesen...

08. Nov. 2022 | 14:00 Uhr
Wolfspeed_Siliziumkarbid
Strategische Partnerschaft

Jaguar sichert sich Siliziumkarbid-Halbleiter von Wolfspeed

Durch eine Partnerschaft mit Wolfspeed sichert sich Jaguar Land Rover Zugang zu Siliziumkarbid-Halbleitern für die Elektrifizierung der nächsten Generation von Range-Rover-, Discovery-, Defender- und Jaguar-Fahrzeugen.Weiterlesen...

19. Okt. 2022 | 11:00 Uhr
1700-V-SiC-MOSFETs lassen sich vom Watt- bis zum Megawattbereich einsetzen. Mit hohen Schaltfrequenzen und einfacheren Schaltungsdesigns eröffnen sie Leistungselektronik-Entwicklern ganz neue Möglichkeiten.
Mit SiC von Watt zu Megawatt

Evolution der Leistungswandlung mit 1700-V-SiC-MOSFETs

In der Welt der Leistungselektronik gilt: Größer ist nie besser. Dies gilt vor allem für Hochvoltsysteme, bei denen die Konstrukteure nach besserer Halbleitertechnologie suchen. mit 1700-V-SiC-MOSFETs stehen Entwicklern nun ganz neue Wege offen.Weiterlesen...

28. Sep. 2022 | 16:00 Uhr
Bild 1: Die wichtigsten Komponenten des elektrischen Antriebsstrangs sind der OBC, das BMS, der Wechselrichter und der Motor.
Warum Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Halbleiter so wichtig für das E-Fahrzeug sind

Wide-Bandgap-Technologien (SiC und GaN) für nachhaltige EVs

Warum erhöhen Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid-Halbleiter (GaN) die Effizienz in E-Fahrzeugen signifikant im Vergleich zu Silizium-Halbleitern? Dieser Beitrag gibt die Antwort.Weiterlesen...

28. Sep. 2022 | 14:00 Uhr
Der Traktionswechselrichter als Herzstück des E-Autos wandelt Gleichstrom aus der Batterie in Wechselstrom für den E-Motor. Bei dieser Energiewandlung kommt es vor allem auf einen hohen Wirkungsgrad an.
Höherer Wirkungsgrad bei der Energiewandlung

Leistungs-Module für mehr Effizienz im Traktionswechselrichter

Eine höhere Dichte von Batteriezellen und eine effizientere Leistungswandlung sind entscheidend, um die Reichweite von EVs zu erhöhen. Besonders für den Traktionswechselrichter ist der Wirkungsgrad entscheidend. Was IGBTs hierbei leisten.Weiterlesen...

14. Sep. 2022 | 07:45 Uhr
Im Vergleich zur Vorgängergeneration lassen sich mit den im AE5-Prozess hergestellten IGBTs die Leistungsverluste um zehnn Prozent reduzieren.
Zehn Prozent weniger Platzbedarf

Renesas stellt neue Generation an Si-IGBTs für E-Autos vor

Renesas kündigt die Entwicklung einer neuen Generation von Si-IGBTs mit geringerer Baugröße und niedrigerer Verlustleistung an. Die IGBTs werden in der neuen 300-mm-Fabrik in Kofu/Japan hergestellt.Weiterlesen...

07. Sep. 2022 | 09:00 Uhr
In leistungsstarken Elektrofahrzeugen werden oft zwei Umrichter eingesetzt, die auf SiC-MOSFETs und IGBTs basieren.
Kombination für EVs mit zwei Wechselrichtern

Gate-Treiber für IGBT- und SiC-MOSFETs im E-Auto

Gerade bei Neuentwicklungen dominiert zunehmend die SiC-MOSFET-Technologie. Im Vergleich zum IGBT bringt sie bei 800 V Effizienzvorteile von mehr als zehn Prozent im Vergleich zum WLTP-Fahrzyklus. Aber auch bei IGBTs gibt es Weiterentwicklungen.Weiterlesen...

30. Aug. 2022 | 10:00 Uhr
Navigation Elektromobilität Ladeinfrastruktur
Schnell und sicher ans Ziel

Navigation für E-Mobilität

Elektrofahrzeuge stellen hohe Anforderungen an Navigationssysteme. Gefragt sind vor allem Infos über die Ladeinfrastruktur entlang der Strecke. Dafür braucht es ein System mit robusten Routing-Funktionen und umfassendem digitalem Kartenmaterial.Weiterlesen...

19. Jul. 2022 | 10:00 Uhr
Karl-Heinz Gaubatz, CEO und CTO von Semikron (links), Peter Sontheimer, CSO von Semikron  (rechts), Wolfram Harnack, Präsident von Rohm Semiconductor (Mitte)
Leistungsmodule für Elektrofahrzeuge

SiC-Kooperation zwischen Semikron und Rohm

Mit SiC-MOSFETs von Rohm bestückte Semikron-Leistungsmodule für Wechselrichteranwendungen in Elektrofahrzeugen erhöhen die Reichweite und ermöglichen kleinere Batterien.Weiterlesen...