In diesem Archiv finden Sie weitere interessante Beiträge rund um Reichweite.
SiC: Auch BorgWarner investiert in Wolfspeed
Nach Jaguar sichert sich auch BorgWarner Siliziumkarbid-Halbleiter von Wolfspeed. Für 500 Millionen US-Dollar ist BorgWarner berechtigt, „jährlich Bauelemente im Wert von bis zu 650 Millionen US-Dollar abzunehmen“.Weiterlesen...
Wie lässt sich die Reichweite von E-Autos weiter steigern?
Die Reichweite eines E-Autos ist eines der wichtigsten Leistungs- und Verkaufsargumente, wenn Menschen vom Verbrenner zur Elektromobilität wechseln wollen. Mit welchen Mitteln lässt sich die Reichweite noch steigern?Weiterlesen...
Jaguar sichert sich Siliziumkarbid-Halbleiter von Wolfspeed
Durch eine Partnerschaft mit Wolfspeed sichert sich Jaguar Land Rover Zugang zu Siliziumkarbid-Halbleitern für die Elektrifizierung der nächsten Generation von Range-Rover-, Discovery-, Defender- und Jaguar-Fahrzeugen.Weiterlesen...
Evolution der Leistungswandlung mit 1700-V-SiC-MOSFETs
In der Welt der Leistungselektronik gilt: Größer ist nie besser. Dies gilt vor allem für Hochvoltsysteme, bei denen die Konstrukteure nach besserer Halbleitertechnologie suchen. mit 1700-V-SiC-MOSFETs stehen Entwicklern nun ganz neue Wege offen.Weiterlesen...
Wide-Bandgap-Technologien (SiC und GaN) für nachhaltige EVs
Warum erhöhen Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid-Halbleiter (GaN) die Effizienz in E-Fahrzeugen signifikant im Vergleich zu Silizium-Halbleitern? Dieser Beitrag gibt die Antwort.Weiterlesen...
Leistungs-Module für mehr Effizienz im Traktionswechselrichter
Eine höhere Dichte von Batteriezellen und eine effizientere Leistungswandlung sind entscheidend, um die Reichweite von EVs zu erhöhen. Besonders für den Traktionswechselrichter ist der Wirkungsgrad entscheidend. Was IGBTs hierbei leisten.Weiterlesen...
Renesas stellt neue Generation an Si-IGBTs für E-Autos vor
Renesas kündigt die Entwicklung einer neuen Generation von Si-IGBTs mit geringerer Baugröße und niedrigerer Verlustleistung an. Die IGBTs werden in der neuen 300-mm-Fabrik in Kofu/Japan hergestellt.Weiterlesen...
Gate-Treiber für IGBT- und SiC-MOSFETs im E-Auto
Gerade bei Neuentwicklungen dominiert zunehmend die SiC-MOSFET-Technologie. Im Vergleich zum IGBT bringt sie bei 800 V Effizienzvorteile von mehr als zehn Prozent im Vergleich zum WLTP-Fahrzyklus. Aber auch bei IGBTs gibt es Weiterentwicklungen.Weiterlesen...
Navigation für E-Mobilität
Elektrofahrzeuge stellen hohe Anforderungen an Navigationssysteme. Gefragt sind vor allem Infos über die Ladeinfrastruktur entlang der Strecke. Dafür braucht es ein System mit robusten Routing-Funktionen und umfassendem digitalem Kartenmaterial.Weiterlesen...
SiC-Kooperation zwischen Semikron und Rohm
Mit SiC-MOSFETs von Rohm bestückte Semikron-Leistungsmodule für Wechselrichteranwendungen in Elektrofahrzeugen erhöhen die Reichweite und ermöglichen kleinere Batterien.Weiterlesen...