In diesem Archiv finden Sie weitere interessante Beiträge rund um Reichweite.
Reichweite von E-Fahrzeugen durch Thermomanagement erhöhen
Das ganzheitliche kompakte Thermomanagement-System TherMaS von ZF soll bei kalten Temperaturen um den Gefrierpunkt die Reichweite im Realbetrieb um bis zu einem Drittel im Vergleich zu heute gängiger Technik erhöhen: Fakten und Hintergrundinfos.Weiterlesen...
Renesas schließt zehnjährigen Liefervertrag für SiC mit Wolfspeed
Renesas hat heute den Abschluss eines zehnjährigen Liefervertrages für Siliziumkarbid-Wafer (Bare und Epitaxial) mit Wolfspeed bekanntgegeben. Dafür hat Renesas eine Anzahlung von 2 Milliarden US-Dollar geleistet.Weiterlesen...
ST liefert Siliziumkarbid-Halbleiter an ZF
Um Aufträge im Bereich Elektromobilität langfristig abzusichern, hat ZF mit ST einen Vertrag über die Lieferung von Siliziumkarbid-Modulen geschlossen. Die Module werden in die 2025 in Serie gehende Wechselrichter-Plattform von ZF integriert. Es ist nicht der erste Deal dieser Art.Weiterlesen...
Halbleiter und Software sind der Schlüssel für mehr Nachhaltigkeit
Nachhaltigkeit kann den Wert, den Technologien schaffen können, noch erhöhen. So lässt sich z. B. bei einem als „grün“ angesehenen Lebensmittel ein Preisaufschlag erzielen. Autos, Halbleiter und Software sind die nächsten Produkte, wo dies möglich wird.Weiterlesen...
SiC: Auch BorgWarner investiert in Wolfspeed
Nach Jaguar sichert sich auch BorgWarner Siliziumkarbid-Halbleiter von Wolfspeed. Für 500 Millionen US-Dollar ist BorgWarner berechtigt, „jährlich Bauelemente im Wert von bis zu 650 Millionen US-Dollar abzunehmen“.Weiterlesen...
Jaguar sichert sich Siliziumkarbid-Halbleiter von Wolfspeed
Durch eine Partnerschaft mit Wolfspeed sichert sich Jaguar Land Rover Zugang zu Siliziumkarbid-Halbleitern für die Elektrifizierung der nächsten Generation von Range-Rover-, Discovery-, Defender- und Jaguar-Fahrzeugen.Weiterlesen...
Evolution der Leistungswandlung mit 1700-V-SiC-MOSFETs
In der Welt der Leistungselektronik gilt: Größer ist nie besser. Dies gilt vor allem für Hochvoltsysteme, bei denen die Konstrukteure nach besserer Halbleitertechnologie suchen. mit 1700-V-SiC-MOSFETs stehen Entwicklern nun ganz neue Wege offen.Weiterlesen...
Wide-Bandgap-Technologien (SiC und GaN) für nachhaltige EVs
Warum erhöhen Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid-Halbleiter (GaN) die Effizienz in E-Fahrzeugen signifikant im Vergleich zu Silizium-Halbleitern? Dieser Beitrag gibt die Antwort.Weiterlesen...
Leistungs-Module für mehr Effizienz im Traktionswechselrichter
Eine höhere Dichte von Batteriezellen und eine effizientere Leistungswandlung sind entscheidend, um die Reichweite von EVs zu erhöhen. Besonders für den Traktionswechselrichter ist der Wirkungsgrad entscheidend. Was IGBTs hierbei leisten.Weiterlesen...
Renesas stellt neue Generation an Si-IGBTs für E-Autos vor
Renesas kündigt die Entwicklung einer neuen Generation von Si-IGBTs mit geringerer Baugröße und niedrigerer Verlustleistung an. Die IGBTs werden in der neuen 300-mm-Fabrik in Kofu/Japan hergestellt.Weiterlesen...