Die Übertragung der SRAM-Daten erfolgt automatisch an nichtflüchtige Speicher, sobald ein Stromausfall festgestellt wird. (Bild: Microchip)
Die Speicherserie erweitert das EERAM-Angebot von Microchip um vier SPI-Speicherdichten von 64 KBit bis 1 MBit. Die SPI-EERAM mit hoher Speicherdichte ermöglichen bis zu 1 MBit für die Datenprotokollierung und die SRAM-Inhalte bleiben bei einem Stromausfall ohne externe Batterie erhalten.
Anwendungen von Smart Meter bis hin zu Fertigungslinien, die eine Datenprotokollierung sich wiederholender Aufgaben erfordern, müssen in der Lage sein, Inhalte automatisch wiederherzustellen, wenn es zu einer Unterbrechung der Stromzufuhr während der Verarbeitung kommt. Derzeitige NVRAM-Speicher mit niedriger Dichte (64 KBit bis 1 MBit), die bei diesen Anwendungen zum Einsatz kommen, weisen meist den höchsten Preis pro Bit auf.
Im Vergleich zu NVRAM und FRAM mit niedriger Dichte lassen sich EERAM günstiger herstellen, weil hier Standard-CMOS- und Flash-Fertigungsprozesse zum Einsatz kommen. Die Übertragung der SRAM-Daten erfolgt automatisch an den nichtflüchtigen Speicher, sobald ein Stromausfall festgestellt wird. EERAM ist ein eigenständiger nichtflüchtiger RAM-Speicher, der die gleichen SPI- und I2C-Protokolle wie serielles SRAM verwendet, so dass Systeme den SRAM-Inhalt bei einem Stromausfall ohne externe Batterie beibehalten können. Sobald die Stromversorgung wieder aktiv ist, verschiebt das System die Daten zurück in den SRAM. Alle nichtflüchtigen Aspekte des Vorgangs sind für den Nutzer im Wesentlichen unsichtbar.
Die folgenden Speicherbausteine sind in 8-poligen SOIC-, SOIJ- und DFN-Gehäusen in Serie erhältlich: 48L640: 64 KBit SPI; 48L256: 256 KBit SPI; 48L512: 512 KBit SPI und 48LM01: 1 MBit SPI.
(aok)
