Die diskreten TVS-Diodenarrays sind in der Lage, wiederholte elektrostatische Entladungen über dem Maximalpegel nach dem internationalen Standard IEC61000-4-2 ohne Leistungseinbußen sicher zu absorbieren.

Die diskreten TVS-Diodenarrays sind in der Lage, wiederholte elektrostatische Entladungen über dem Maximalpegel nach dem internationalen Standard IEC61000-4-2 ohne Leistungseinbußen sicher zu absorbieren.Littelfuse

Sie sind in der Lage, wiederholte elektrostatische Entladungen über dem Maximalpegel nach dem internationalen Standard IEC61000-4-2 ohne Leistungseinbußen sicher zu absorbieren und bis zu 8 A eines induzierten Stoßstroms mit äußerst niedriger Klemmspannung abzuleiten. Mit ihrem SOD882-Gehäuse eignen sie sich gut als Ersatz für mehrschichtige Varistoren (MLVs) der Größe 0402 in Anwendungen wie Kfz-Elektronik, LED-Beleuchtungsmodule, tragbare Instrumente, universelle Ein- und Ausgabegeräte, mobile und tragbare Geräte, CAN- und LIN-Busse, RS‑232/RS‑485 sowie weitere langsame Ein- und Ausgabegeräte. Außerdem sind sie eine gute Lösung für Produktdesigner, die Vorrichtungen zum Schutz gegen elektrostatische Entladungen und/oder Überspannungen auf ihren Leiterplatten verteilen müssen.

Da sie mit Silizium-Dioden gebaut werden, bieten die TVS-Diodenarrays der SPHV- und SPHV-C Baureihen einen zwei bis drei Mal höheren ESD-Schutz als aus alternativen Materialien hergestellte Vorrichtungen mit innewohnenden Verschleißfaktoren. Dadurch sind robustere Produktimplementierungen in Umgebungen möglich, in denen die Bedrohung durch elektrostatische Entladungen an der Tagesordnung ist und Ausrüstungsgegenstände hunderten oder sogar tausenden elektrostatischen Entladungen während ihrer Nutzungsdauer standhalten müssen. Ihr niedriger dynamischer Widerstand sorgt für eine um bis zu 60 Prozent niedrigere Klemmspannung als alternative Geräte, wodurch sie gut geeignet sind für den Schutz moderner Elektronik mit einer Vielzahl kleiner integrierter Schaltkreise.

Die TVS-Diodenarrays bieten ESD-Schutz bis zu ±30 kV (Kontaktentladung) und Überspannungsschutz bis zu 8 A (tP=8/20 µs. Der niedrige dynamische Widerstand sorgt für eine um bis zu 60 Prozent niedrigere Klemmspannung als bei bisherigen Technologien. Herstellung mit Silizium-Dioden, die viele (>1.000) ESD-Schläge oder transiente Stoßspannungen verglichen mit alternativen Technologien mit einem innewohnenden Verschleißfaktor ohne Leistungsverlust absorbieren können. Die gemäß AIC-Q101 zugelassene Produkte sind gebrauchsfertig zur Verwendung in der Kfz-Elektronik, wo sie maximale Zuverlässigkeit gewährleisten.