Einfache Ansteuerung von Enhanced Mode Silizium Carbide Power VJ-Feldeffekttransistor

Auf 10 Seiten in Englisch beschreibt Microsemi (ex ASIC Advantage) die technischen Daten und besonderen Merkmale des VertikalJunction-FET Hochstrom-Gatetreibers AAC611 in allen Details. Am Ende des Datenblattes findet sich eine kurze Beschreibung der Funktion in der Applikation als Enhanced Mode SiC Power VJFET-Treiber. Der Gatetreiber AAC611 eignet sich gut für das Zusammenspiel mit den Phase leg SiC-Modulen APTC120AM13 und AM25.