Einsatz in Leistungsschaltungen hoher Effizienz
Das 10-seitige englische Datenblatt des 1200 V SiC-Power-MOSFETs CMF10120D mit 160 mOhm RDS(on) zeigt ausführlich die technischen Daten und gibt Applikationshinweise sowie Angaben für Testschaltungen zur Ermittlung des Avalanche-Verlaufs.