Elektronik-Entwicklung

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Praxisnahe Design-Unterstützung für Elektronik-Entwickler: von den Bauelementen (Halbleiter, passiv, Sensoren) über Stromversorgungen, Opto, Displays, E-Mechanik etc. bis zu Messtechnik, Software und Embedded – stets mit Blick auf Safety & Security sowie auf Lösungen für (über)morgen!

Fokusthema Quantencomputer

Als im Juni 2021 der erste Quantencomputer in Deutschland von IBM eingeweiht wurde, war das Interesse groß. Aber was verbirgt sich hinter der Technologie? Was kann sie eines Tages leisten, woran wird geforscht und wo lauern Gefahren? Das erfahren Sie hier.

Elektronik-Entwicklung

16. Dez. 2019 | 10:48 Uhr
MEMS-basierende OCXO-Platform Emerald von Sitime
Bleib cool, wenn es heiß wird – jenseits der Grenzen

Frequenzstabilität von TCXOs und OCXOs

Der Ausfall einer Funkzelle kann durch Synchronisations- und Timing-Probleme verursacht werden, da bei jeder neuen Generation der drahtlosen Kommunikation die Timing-Anforderungen steigen. Hohe Temperaturen oder schnelle Temperaturwechsel können die Ursache sein, da sie direkten Einfluss auf die Oszillatoren haben können, die die Stabilität der Frequenz liefern.Weiterlesen...

16. Dez. 2019 | 10:13 Uhr
RTC-Modul
Stromverbrauch nur 10 nA

Echtzeituhren-Module mit Zeitstempelfunktion

Seiko Epson hat zwei weitere Echtzeituhren-Module (RTC-Module) zu dessen Produktportfolio hinzugefügt: den RX8111CE und RX4111CE. Beide werden in einem kleinen Gehäuse (3,2 mm x 2,5 mm x 1,0 mm) geliefert und sind mit einer Zeitstempel-Funktion bestückt.Weiterlesen...

13. Dez. 2019 | 10:39 Uhr
SE
16 mm flaches 2,08-Zoll-COG-OLED

Chip-on-Glass-OLED als ZIF-FCB-, Hotbar- oder Leiterplatten-Variante

Wahlweise mit ZIF FCB-Anschluss, als Hotbar-Version oder auf eine PCB-Leiterplatte montiert ist das 1,6 mm flache 2,08-Zoll- (5,28-cm-) Chip-on-Glass (COG) -OLED von Winstar erhältlich (Vertrieb: SE Spezial-Electronic).Weiterlesen...

13. Dez. 2019 | 10:29 Uhr
Schlüsselwahlschalter der Serie RAMO K mit M12-Anschluss von Rafi
Schalter zur Stand-alone-Montage

Rafi bietet Schlüsselschalter mit M12-Anschluss

Die Schlüsselschalter der Serie Ramo K von Rafi bieten eine robuste, schnell montierbare Bedienlösung für dezentrale Anwendungen, bei denen eine Verriegelung von kritischen Betätigungsfunktionen erforderlich ist.Weiterlesen...

13. Dez. 2019 | 10:27 Uhr
Low-ESR-Schwingquarz
Für IoT und LPWAN

Petermann-Technik bietet Low-ESR-Schwingquarze an

Petermann-Technik führt jetzt verschiedene SMD-Schwingquarze für IoT- und LPWAN-Anwendungen.Weiterlesen...

13. Dez. 2019 | 10:25 Uhr
TCXO
Für hochfrequente Anwendungen

WDI vertreibt TCXO-Serie von Taitien

WDI hat mit der TX-P-Serie von Taitiens einen präzisen Miniatur-TCXO für hochfrequente Anwendungen in sein Portfolio aufgenommen.Weiterlesen...

13. Dez. 2019 | 09:21 Uhr
Das 12,1-Zoll-WXGA-Farb-TFT-LCD-Modul von Mitsubishi Electric ist speziell für den Einsatz in rauen Umgebung angepasst.
Einsatz in rauer Umgebung

Mitsubishi Electric präsentiert 12,1-Zoll-WXGA-Farb-TFT-LCD-Modul

Das 12,1-Zoll-WXGA-Farb-TFT-LCD-Modul von Mitsubishi Electric ist speziell für den Einsatz in rauen Umgebung angepasst.Weiterlesen...

12. Dez. 2019 | 08:45 Uhr
NMC CompGround (SATSAMR30 AC164159)New
Gewinnspiel

Microchip verlost die Plattform SAM R30M Xplained Pro

Microchip verlost unter den Lesern der elektronik industrie ein SAM R30M Xplained Pro Kit. Das Kit ist eine Hardwareplattform zur Evaluierung des SAMR30M18A-Moduls.Weiterlesen...

12. Dez. 2019 | 08:00 Uhr
Bild 1: Strangkühlkörper aus Aluminium liefern unzählige effiziente Konzepte sowie Möglichkeiten zur Entwärmung von elektronischen Bauelementen oder -gruppen.
Cool bleiben bei hohen Verlustleistungen

Hochleistungskühlkörper stellen die Wärmeabfuhr sicher

Stranggepresste Kühlkörper sind bei der Entwärmung elektronischer Bauteile häufig im Einsatz. Die vielfältigen Entwärmungsmöglichkeiten machen für Anwender die richtige Auswahl oftmals zu einer Herausforderung.Weiterlesen...

11. Dez. 2019 | 15:27 Uhr
SiC-FETs
Leistungsverluste minimieren

United-SiC entwickelt SiC-FETs mit einem RDS(on) unter 10 Milliohm

United-SiC stellt vier neue SiC-FETs (Siliziumkarbid-Feldeffekttransistoren) mit RDS(on)-Werten bis zu einem Minimum von 7 Milliohm vor.Weiterlesen...