Elektronik-Entwicklung

Elektronik-Entwicklung

Praxisnahe Design-Unterstützung für Elektronik-Entwickler: von den Bauelementen (Halbleiter, passiv, Sensoren) über Stromversorgungen, Opto, Displays, E-Mechanik etc. bis zu Messtechnik, Software und Embedded – stets mit Blick auf Safety & Security sowie auf Lösungen für (über)morgen!

Die unterbrechungsfreien Stromversorgungen der Geräteserie CU81xx umfassen derzeit eine kapazitive (links) und zwei batteriegestützte Varianten. Beckhoff Automation
Unterbrechungsfreie Stromversorgung (USV)

USV-Geräte von Beckhoff unterstützen auch die Einkabel-Technik

Kühlkörper
Hybridkühlkörper kombinieren thermische Vorteile von Kupfer und leichtem Aluminium

Das sind die Vorteile kaltgasgespritzter Hybridkühlkörper

Bild 2: Das Zusatzmodul DigSMA fügt einem Digitizer der M4i.44xx-Serie acht digitale Eingangskanäle hinzu.
Flexibel und auf die Testaufgabe abgestimmt

Mixed-Signal-Tests mit modularen PC-Instrumenten

Bild 2: Thermisches Modell eines typischen Leistungshalbleiters, 7L D2PAK, das die verschiedenen Temperaturgradienten vom Chip zum Gehäuse zeigt: Seitenquerschnittsansicht (oben), Temperaturmessung an verschiedenen Punkten auf der Die-Oberseite (Mitte), Temperaturmessung an verschiedenen Punkten des Gehäuses (unten).
Wärmemanagement auf Chipebene

So verbessert Silbersintern die Wärmeleitfähigkeit in Leistungshalbleitern

Die Batteriemodell-Bibliothek von Twaice besteht aus Zellmodellen, die das elektrische, thermische und Alterungsverhalten von verschiedenster Batteriezellen simulieren. Twaice
Batterie-Simulation

Modell-Bibliothek beschleunigt die Entwicklung von Batterien

Diese Spule aus supraleitenden Drähten ist in der Lage, Leistungen von mehr als 5 kW kontaktlos und ohne große Verluste zu übertragen.
Spule aus supraleitenden Drähten

Supraleitende Spulen ermöglichen kontaktlose Energieübertragung im kW-Bereich

„Die gemeinsame Arbeitsgruppe wird mit verschiedenen RISC-V-Gruppen zusammenarbeiten, um das OmnxXtend-Protokoll zu überprüfen, wobei der Schwerpunkt auf der Cache-Verwaltung liegt und ein besonderes Augenmerk auf die Ermöglichung von Kohärenz für RISC-V-Mitglieder gelegt wird`, sagte Mark Himelstein, CTO bei RISC-V International. RISC V International
Offenen, zusammenhängenden und einheitlichen Standard für CPU-Speicherarchitektur

Chips Alliance und RISC-V verbessern CPU-Speicherarchitektur für RISC-V-Mikroprozessoren

Bild 1: Direkter Größen- und Parametervergleich eines Transformator-Designs auf Basis von Si-Bauelementen und integrierten GaN-FETs.
Power für 5G-Telekommunikation und Rechenzentren

GaN-FETs für industrielle Stromversorgungs-Designs der nächsten Generation

Bild 2: Modul-Adapterboards kombiniert mit Gate-Treiber-Cores bieten eine Plattform zur schnellen Evaluierung und Optimierung neuer SiC-Leistungselektronikbauteile durch Augmented Switching.
Zuverlässigkeit, Gate-Ansteuerung und Gesamtlösungen im Fokus

Auf welche Qualitätsmerkmale Entwickler bei SiC-Bauelementen achten sollten

Die Dickschicht-Chipwiderstände der CRHA-Serie bieten Arbeitsspannungen bis 3000 V und sind in fünf Gehäuseformen verfügbar.
Qualifiziert nach AEC-Q200

Hochspannungs-Dickschicht-Chipwiderstände von Vishay