700- und 600-V Hochspannungs-MOSFETs im DFN5×6- und DFN8×8-SMD-Gehäuse.

700- und 600-V-Hochspannungs-MOSFETs im DFN5×6- und DFN8×8-SMD-Gehäuse. (Bild: Alpha and Omega Semiconductor)

Bei den SuperJunction-MOSFET-Familien αMOS5 im DFN5×6- und DFN8×8-SMD-Gehäuse handelt es sich um die neueste Generation von AOS, die für Anforderungen an hohe Effizienz und hohe Dichte von Schnellladegeräten, Steckernetzteilen, Computerversorgungen, Servern, industriellen Stromversorgungen, Telekommunikation und Hyperscale-Rechenzentren entwickelt wurden.

Die Grundfläche des neuen αMOS5-DFN8×8-Produktes beträgt 64 mm², was 57 % kleiner als die eines D2PAK-Gehäuses ist. Seine Gehäusehöhe beträgt 0,9 mm, was einer Höhenreduzierung von 80 % gegenüber D2PAK entspricht. Die wesentlich geringere Source-Induktivität des DFN8×8-Gehäuses im Vergleich zu D2PAK trägt dazu bei, Gate-Klingeln und Einschaltverluste (Eon) deutlich zu reduzieren und verbessert die Zuverlässigkeit des gesamten Systems.

Die Grundfläche des αMOS5-DFN5×6-Produkts ist mit 30 mm² kompakter und damit 61 % kleiner als die eines DPAK-Gehäuses. Die Gehäusehöhe beträgt 0,75 mm, was einer Höhenreduzierung von 67 % gegenüber DPAK entspricht. Die niedrige Source-Induktivität des DFN5×6-Gehäuses bietet bei αMOS5 einen deutlichen Vorteil gegenüber dem DPAK-Gehäuse und eignet sich somit sehr gut für hohe Schaltfrequenzen und einem Leiterplattenlayout mit kleinem Formfaktor.

Das αMOS5-DFN8×8-Gehäuse verfügt über einen Kelvin-Source-Anschluss, der die Schaltpeformance durch die Reduzierung der Einschaltverluste mittels getrennter Leistungs- und Treiber-Sourceanschlüsse erheblich verbessert.

Die ersten Mitglieder der αMOS5-DFN-Familie werden als 600-V-Baustein mit 210 mΩ im DFN8×8 (AONV210A60) und zwei 700-V-Bausteine mit 660 mΩ beziehungsweise 1,6 Ω im DFN5×6 (AONS660A70F und AONS1R6A70) erhältlich sein. Zukünftige DFN-Familienmitglieder werden das Spektrum an Rds(on)-Werten wesentlich verbreitern. Die αMOS5-Produkte im DFN8×8 und DFN5×6 haben eine MSL1-Klassifizierung, was eine längere Verarbeitbarkeit und weniger Verpackungsaufwand bedeutet.

Die Einführung der Hochspannungsproduktfamilien im DFN8×8 und DFN5×6 wird es ermöglichen, die Anwendungsabdeckung bei äußerst flachen Stromversorgungen von Schnellladegeräten/Adaptern bis hin zu Solarwechselrichtern und Telekommunikationsgleichrichtern zu erweitern. Das Die-to-Footprint-Verhältnis der DFN-Produkte und die Kelvin-Source-Funktion ermöglichen ein Leiterplattenplatzsparendes und schnelles Schalten, sowie eine einfache Handhabung durch geringere Gate-Oszillationen.

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