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Die Standard-Automotive LDOs eröffnen laut Rohm eine maximale Designflexiblität. Die Fast Recovery-Dioden weisen Soft- und Hard-Recovery auf und die SiC-MOSFETs der dritten Generation basieren auf der Trench-Gate-Struktur.n

Die Standard-Automotive LDOs eröffnen laut Rohm eine maximale Designflexiblität. Die Fast Recovery-Dioden weisen Soft- und Hard-Recovery auf und die SiC-MOSFETs der dritten Generation basieren auf der Trench-Gate-Struktur.nRohm

Zu den präsentierten Produkten von Rohm zählen hocheffiziente Automotive-Standard LDOs. Sie punkten mit geringem Stromverbrauch, hoher Stromausbeute, hoher Spannungsfestigkeit und einem weiten Betriebstemperaturbereich von -40 bis +125 °C. Sie eröffnen dem Entwickler maximale Designflexibilität. Qualifiziert für Automotive-Anwendungen eignen sie sich für Cluster, Klimaanlage, Radio- oder Navigationsgeräte.

Zwei Serien ergänzen die Standard-Balance- und Soft-Recovery-Modelle: Die Low-Vf-RFNL-Serie mit Ultra-Low-Vf und Soft-Recovery eignet sich für Stromanwendungen von 200 bis 300 W; Einsatzgebiete sind TV, PC und Weiße Ware. Die RFV-Serie weist ein Hochgeschwindigkeits-Schalt- und Hard-Recovery-Verhalten auf, das Anwendungen mit hoher Watt-Zahl wie USVs, Stromanlagen und Industriemodule unterstützt.

Die dritte Generation an SiC-MOSFETs von Rohm basieren auf Trench-Gate-Struktur-Technologie: Im Vergleich zum herkömmlichen planeren MOSFET, erreicht der Trench-MOSFET im gesamten Temperaturbereich nur die Hälfte des Einschalt-Widerstands. Die Stabilität der Gate-Oxid-Schicht und der Body-Diode ist im gleichen Maße gesichert. Das ermöglicht geringe Leitfähigkeit und Schaltverluste sowie höhere Strombelastbarkeit im kompakten Format.

(rao)

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