Alles aus einer Hand und von Bundle-Lösungskonzepten profitieren. (Bild: Microchip/Ineltek)
Sie können in einem breiten Spektrum von Hochspannungs- und Hochleistungsanwendungen in den Marktsegmenten Industrie, Automobil, Medizin, Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Kommunikation eingesetzt werden. SiC-MOSFETs und SiC-Schottky-Barrieredioden (SBDs) der nächsten Generation von Microchip (Vertrieb: Ineltek) sind mit hochrepetitiver UIS-Fähigkeit (Unclamped Inductive Switching) und guter Gateoxid-Abschirmung und Kanalintegrität für einen robusten Betrieb ausgelegt. Die SiC-MOSFET- und SiC-SBD-Dies können für den Einsatz in Leistungsmodulen mit verschiedenen Topologien kombiniert werden.
Mit den SiC-Lösungen von Microchip bieten zahlreiche technische Vorteile: Verbesserte Systemeffizienz mit geringeren Schaltverlusten, höhere Leistungsdichte für ähnliche Leistungstopologien, höhere Betriebstemperatur, geringerer Kühlbedarf, kleinere Filter und Passivelemente, höhere Schaltfrequenz, zehnmal geringere FIT-Rate (Failure In Time) für Neutronenanfälligkeit als vergleichbare Bipolartransistoren mit isoliertem Gate (IGBTs), niedrige parasitäre (Streu-) Induktivität bei weniger als 2,9 nH in SiC-Modulen.
Wie können diese SiC-Bauteile helfen, die Herausforderungen eines Designs zu meistern? In erster Linie steht ein breites Angebot an 700 V-, 1200 V- und 1700 V-SiC-Produkten zur Unterstützung einer Vielzahl von Märkten zur Verfügung. Des Weiteren ermöglicht eine höhere SiC-Leistungsdichte im Vergleich zu Silizium den Einsatz kleinerer Magnete, Übertrager, Filter und passiven Bauelemente, was zu kompakteren Formfaktoren führt. Nicht zuletzt können die SiC-Komponenten mit anderen Microchip-Bausteinen kombiniert werden, darunter 8-, 16- und 32-Bit-Mikrocontroller, Power-Management-Bausteine, analoge Sensoren, Berührungs- und Gestensteuerungen und drahtlose Verbindungslösungen.
(jj)
