Die Ausgangstransistor-Arrays mit DMOS-FET-Senkenausgang TBD62183AFNG und TBD62183AFWG.

Die Ausgangstransistor-Arrays mit DMOS-FET-Senkenausgang TBD62183AFNG und TBD62183AFWG. (Bild: Toshiba Electronics Europe)

| von Neumayer

Die Ausgangsransistor-Arrays von Toshiba Electronics Europe steuern hohe Spannungen mit einer Eingangsspannung von 30 und einer Ausgangsspannung von 50 V. Ein 8-Kanal-Senkenausgang in den kleinen SMD-Gehäusen sorgt für eine geringere Anzahl an Bauteilen, wenn mehrere Schaltkreise angesteuert werden sollen. Die TBD62083A-Serie bietet einen IOUT von 500 mA/Kanal. Für Low-Power-Anwendungen mit einem maximalen IOUT von 50 mA/Kanal eignet sich die TBD2183A-Serie.

Durch den DMOS-FET-Ausgang der beiden Transistor-Arrays ist kein dauerhafter Basisstrom am Eingangs-Pin erforderlich. Mit einem niedrigen maximalen Eingangsstrom von 0,1 mA @UIN=3 V arbeiten die Bausteine. Ihr Stromverbrauch ist sehr gering. Die Ausgangscharakteristik ähnelt den Uce(sat)-Eigenschaften eines Darlington-Bipolartransistors, womit sich die Arrays als Ersatz für In-Line-Bipolartransistoren der Serie TD62083A von Toshiba eignen.

Geliefert wird der Baustein TBD62183AFNG im SSOP18-Gehäuse, der TBD62183AFWG im SOL18-Gehäuse. Zu den Anwendungsbereichen zählen Haushaltsgeräte wie Kühlschränke und Kaffeemaschinen, Batterieladegeräte, Videoüberwachungssysteme, LED-Displays und industrielle Ausrüstung wie Schweißgeräte.

Electronica 2016: Halle A5, Stand 115

(ah)

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