Die Gate-Treiber STGAP2HD für IGBTs und STGAP2SICD für SiC-MOSFETs bieten eine Signallaufzeit vom Eingang zum Ausgang von 75 ns. (Bild: STMicroelectronics)
Die Gate-Treiber von STMicroelectronics weisen eine Beständigkeit gegen Spannungsflanken von bis zu ±100 V/ns auf. Die Bauelemente können ein Gate-Ansteuersignal von bis zu 4 A erzeugen. Sie verfügen über zwei Ausgangs-Pins und eine aktive Miller-Clamp-Schaltung. Beide Treiber sind hochspannungsseitig für Spannungen bis zu 1200 V ausgelegt und bieten eine Signallaufzeit vom Eingang zum Ausgang von 75 ns.
Zu den eingebauten Schutzfunktionen gehören ein Überhitzungsschutz, ein Watchdog-Timer und eine für jeden Kanal einzeln wirkende Unterspannungs-Sperre (Under-Voltage Lockout, UVLO). Der STGAP2SICD ist durch eine höher eingestellte Ansprechspannung der UVLO-Funktion für SiC-MOSFETs geeignet. Beide Bausteine besitzen einen ILOCK-Pin zum gleichzeitigen Einschalten beider Kanäle in zweikanaligen low-seitigen Konfigurationen und asymmetrischen Halbbrücken-Applikationen. Zusätzlich gibt es eine Verriegelungsfunktion, die das Entstehen von Querströmen in konventionellen Halbbrücken-Schaltungen ausschließt, einen Shutdown- und Brems-Pin sowie einem Standby-Pin.
Geeignet sind die Treiber für Anwendungen im Bereich Stromversorgung, Antriebe, Wechselrichter, Schweißgeräte und Ladegeräte. Die Eingangs-Pins sind bis 3,3 V herab kompatibel zu TTL- und CMOS-Logik. Zusätzlich zu den Gatetreibern werden die Demo-Boards EVALSTGAP2HDM and EVALSTGAP2SICD angeboten.
