(Bild: Toshiba)
Die Erhöhung der maximalen Betriebstemperatur von 110 auf 125°C ermöglicht den Einsatz der Fotorelais in Hochtemperaturanwendungen und erleichtert die Sicherstellung der erforderlichen Temperaturmargen in den Systemen. Das S-VSON4T-Gehäuse benötigt eine Leiterplattenfläche von 2,9 mm² und ist nur 1,3 mm hoch. Dank eines Durchlasswiderstands (RON) von typischerweise 0,2 Ω und eines Ein-/Ausschaltstroms bis 1A eignen sich den TLP3407SRA für Schaltanwendungen in schnellen Logik-IC- und Memory-Testern. Das Fotorelais kommt dabei mit einer Leistungsaufnahme von 3,3 mW aus.
Alle Fotorelais dieser Serie von Toshiba bieten einen niedrigen Ruhestrom von 1 nA bei 50 V und eine niedrige Ausgangspin-Kapazität von 80, 12 beziehungsweise 20pF. Toshiba
Der TLP3407SRA verfügt über einen integrierten Eingangswiderstand von 4000 Ω, wohingegen er bei TLP3475SRHA und TLP3412SRHA 600 Ω beträgt. Dadurch ist kein externer Eingangswiderstand erforderlich. Alle Fotorelais bieten außerdem einen niedrigen Ruhestrom von 1 nA bei 50 V und eine niedrige Ausgangspin-Kapazität von 80, 12 beziehungsweise 20pF.
(prm)
