Wafer

STMicroelectronics und GlobalFoundries wollen ihren Beitrag zum European Chips Act leisten: dafür soll bis 2026 300-mm-Halbleiterwerk in Frankreich entstehen. (Bild: Siemens Digital Industries Software)

STMicroelectronics (ST), ein Unternehmen der Halbleiterindustrie, das Kunden aus dem gesamten Spektrum elektronischer Anwendungen beliefert, und GlobalFoundries (GF), ein Unternehmen in der Herstellung von Halbleitern mit hohem Funktionsumfang, gaben heute die Unterzeichnung einer Absichtserklärung (Memorandum of Understanding) zur Errichtung eines, gemeinsam betriebenen 300-mm-Halbleiterwerks neben der bestehenden 300-mm-Fertigungsstätte von ST in Crolles, Frankreich, bekannt. Diese Anlage soll bis 2026 ihre volle Kapazität erreichen und bei voller Auslastung bis zu 620.000 300mm-Wafer (~42% ST und ~58% GF) pro Jahr produzieren.

ST und GF wollen Kapazitäten für ihren europäischen und weltweiten Kundenstamm aufbauen. Das neue Werk wird eine Reihe von Technologien unterstützen, insbesondere Fully Depleted Silicon On Insulator (FD-SOI)-basierte Technologien, und mehrere Varianten abdecken. Dazu gehören die FDX-Technologie von GF und die Technologie-Roadmap von ST bis hin zu 18 nm, für die die Unternehmen in den nächsten Jahrzehnten eine hohe Nachfrage in den Bereichen Automotive, IoT und mobile Anwendungen erwarten.

Was ist die Fully Depleted Silicon On Insulator FD-SOI-Technologie?

Die proprietäre FDX-Prozesstechnologieplattform von GF, die auf der "vollständig verarmten Silizium-auf-Isolator-Technologie" (FD-SOI) basiert, eignet sich für die effiziente Single-Chip-Integration von digitalen und analogen Signalen und bietet eine kostengünstige Leistung für vernetzte und stromsparende Embedded-Anwendungen. Darüber hinaus bietet die FDX-Prozessplattform viele Funktionen wie Ultra-Low-Power (ULP), Ultra-Low-Leakage (ULL), RF und mmWave, embedded magnetoresistive Direktzugriffsspeicher (MRAM) und Automotive-Qualifizierung und ist damit besonders für IoT/Wireless, 5G (einschließlich mmWave), Automotive-Radar und Satellitenkommunikationsanwendungen geeignet. Die FD-SOI-Technologie hat ihren Ursprung im Großraum Grenoble (Frankreich). Sie war von Anfang an Teil der Technologie- und Produkt-Roadmap von ST in Werk Crolles. Später wurde diese Technologie im Dresdner GF Werk weiterentwickelt und produziert.

Wie STMicroelectronics und GlobalFoundries den European Chips Act unterstützen wollen

ST und GF werden für die neue Anlage erhebliche finanzielle Unterstützung vom französischen Staat erhalten. Das Werk wird einen wichtigen Beitrag zu den Zielen des European Chips Act leisten, darunter dass Europa bis 2030 20 % der weltweiten Halbleiterproduktion abdeckt. Zusätzlich zu den Investitionen in neueste Halbleiterfertigung in Europa wird sie die führende Rolle und Resilienz des europäischen Technologie-Ökosystems unterstützen – von der Forschung und Entwicklung bis hin zur Hochvolumenfertigung. Damit erhalten europäische und globale Kunden zusätzliche Kapazitäten für komplexe, fortschrittliche Technologien für wichtige Endmärkte wie Automobil, Industrie, IoT und Kommunikationsinfrastruktur. Die neue Produktionsstätte wird einen wesentlichen Beitrag zur globalen digitalen und umweltfreundlichen Transformation leisten, indem sie dafür Schlüsseltechnologien und -produkte zur Verfügung stellt. Die gemeinsamen Investitionen werden ferner neue Arbeitsplätze am ST-Standort Crolles (ca. 1000 zusätzliche Stellen im neuen Werk) sowie im gesamten Ökosystem von Partnern und Zulieferern schaffen.

Das sagt Silicon Saxony zur Entscheidung von STMicroelectronics und GlobalFoundries

„Halbleiter bleiben auf absehbare Zeit ein stark nachgefragtes Industrieprodukt. Vor allem sichere, klimafreundliche Stromspartechnologien stehen bei Automobilisten und anderen Unternehmen hoch im Kurs. Umso erfreulicher ist es, dass STMicroelectronics und GlobalFoundries weitere Kapazitäten in Europa schaffen. Und das sehr zeitnah, denn das Werk befindet sich bereits im Bau. Damit sind beide Unternehmen in der Lage, sehr schnell auf die derzeitige Marktnachfrage zu reagieren. Außerdem stärkt die Partnerschaft beider Chip-Hersteller unsere Clusterkooperation mit der französischen Region Rhône-Alpes, mit der wir seit vielen Jahren eng zusammenarbeiten“, sagt Dirk Röhrborn, Vorstandsvorsitzender Silicon Saxony e. V.

„Die Zusammenarbeit mit GF ermöglicht es uns, schneller zu werden, die Risikoschwellen zu senken und das europäische FD-SOI-Ökosystem zu stärken. Wir werden mehr Kapazitäten haben, um unsere europäischen und globalen Kunden beim Übergang zur Digitalisierung und Dekarbonisierung zu unterstützen“, sagte Jean-Marc Chery, Präsident und CEO von STMicroelectronics.

„Unsere Kunden suchen einen breiten Zugang zu 22FDX-Kapazitäten für Automobil- und Industrieanwendungen. Das neue Werk bietet unseren Kunden weitere Foundry-Kapazitäten für innovative Produkte und es wird vom GF Team vor Ort gemanagt“, so Dr. Thomas Caulfield, CEO von GF.

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