Schematischer Aufbau eines Kondensators von Kemet

Die Gehäusetechnologie von Kemet nutzt ein Liquid-Phase-Sintering-Material (TLPS), um eine oberflächenmontierbare Multi-Chip-Lösung zu schaffen. (Bild: Rutronik/Kemet)

Die Konnekt-Technologie von KEMET ist eine hochdichte Gehäusetechnologie, die es ermöglicht, Komponenten ohne die Verwendung von Metallrahmen miteinander zu verbinden und damit ESR, ESL und thermischen Widerstand von Kondensatoren zu reduzieren. Dabei wird ein Transient-Liquid-Phase-Sintering-Material (TLPS) verwendet, um eine oberflächenmontierbare Multi-Chip-Lösung zu schaffen. Erhätlich sind die Kondensatoren bei Rutronik.

Die C0G-Konnekt-Kondensatoren, auch als KC-Link mit Konnekt-Technologie bekannt, werden in BME-Technik (Base Metal Electrodes) gefertigt, weisen weder DC-Bias noch Piezo-Effekt auf und zeigen nur minimale C-Wert-Änderung über der Temperatur (+-30 ppm/°C). Sie sind auch für Temperaturen bis 150°C und als Commercial- und Automotive Ausführung verfügbar. Sie sind erhältlich im Bereich von 14 – 880 nF und in Spannungen von 500 bis 2000 V.

Die U2J-Konnekt-Kondensatoren verwenden ebenfalls ein Klasse-I-Keramik-Material, wie NP0 (C0G), mit dem Temperatur-Koeffizienten N750 (-750 +-120 ppm/°C) und erweitern damit die mögliche C-Wert-Range gegenüber C0G auf 940 nF und 1,4 μF bei Spannung 50 V.

Die X7R-Konnekt-Kondensatoren entwickelte Kemet für Fälle, bei denen eine höhere Kapazität und Spannung notwendig ist. Die neueste Generation der Größen 1812 und 2220 verfügt zudem über eine Flex-Terminierung, die für eine Verbesserung der mechanischen Biegefähigkeit und des Temperaturwechselverhaltens sorgt. Als X7R-Klasse-II-Bauteil zeichnen sie sich durch minimale Kapazitätsänderung (±15 %) bei einer Umgebungstemperatur von -55 °C bis +125 °C aus. Der Wertebereich reicht von 2,4 nF bis hinauf zu 2 0μF und Spannungen sind möglich von 25 V bis 3000 V. Es gibt ebenfalls Commercial- und Automotive-Versionen.

Für weitere Performancesteigerung gibt es die meisten Teile neben horizontaler auch in vertikaler Chip-Anordnung. Diese Low-Loss-Bauteile erreichen weitere Verbesserung bei den ESR- und ESL-Werten, womit dann wiederum höhere Rippleströme möglich sind.

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