Blockdiagramm mit einem IGBT.

Blockschaltbild einer IGBT-Anwendung. (Bild: Hy-Line)

MOSFETs und IGBTs sind vermeintlich ideale Leistungsschalter. Sie werden nur mit Spannung über ein Gate gesteuert, also leistungsarm. Doch um kurze Schaltzeiten zu erreichen und die Gatekapazität schnell umzuladen, ist ein Strom in Höhe von einigen Ampere erforderlich. Zudem ist bei Gegentaktbrücken die Ansteuerung der Highside knifflig, da der Emitter hier auf einem hohem und schnell wechselndem Potenzial liegt.

In einer dreiphasigen IGBT-Brückenschaltung sind bis zu sechs galvanisch getrennte Kleinspannungen notwendig, die zudem nicht aus einfachen Spannungswandlern erzeugt werden können. Wie man den Aufwand reduzieren kann und was es bei der Spannungsversorgung der Treiberschalter zu beachten gibt, erklärt dieses Whitepaper von Hy-Line.

(prm)

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