Superjunction-MOSFETs von Infineon im QDPAK-SMD-Gehäuse (Bild: Infineon)

Die Superjunction-MOSFETs CoolMOS S7 10 mΩ und CoolMOS S7A sind in ein oberseitengekühltes QDPAK-SMD-Gehäuse eingepasst. (Bild: Infineon)

Der CoolMOS S7 10 mΩ hat einen für 600-V-Superjunction-MOSFETs niedrigen Einschaltwiderstand. Er eignet sich damit für Anwendungen, bei denen es auf minimale Leitungsverluste ankommt, wie beispielsweise bei handelsüblichen Solid-State-Relais (SSR).

Gerade in Anwendungen, bei denen die MOSFETs mit niedriger Frequenz schalten sollen, kommt es zusätzlich auf gutes thermisches Verhalten sowie kompaktere und leichtere Systeme an – bei gleichzeitig sehr hohem Qualitätsstandard. Die Chips CoolMOS S7 10 mΩ und CoolMOS S7A wurden in ein oberseitengekühltes QDPAK-SMD-Gehäuse eingepasst. Dieses bietet eiin sehr gutes thermisches Verhalten, wodurch es als kleinere Alternative zu THD-Bauteilen wie TO-247 geeignet ist. Darüber hinaus ließ sich mit dem Wechsel von THD zu SMD mit QDPAK um 94 Prozent reduzieren. Entwickler können damit die Größe von Kühlkörpern um bis zu 80 Prozent reduzieren und gleichzeitig die Strom- und Spannungswerte erweitern, ohne den Formfaktor zu verändern.

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