Die SiC-MOSFETs eigenen sich für Hochleistungsanwendungen wie Server, Telekommunikation oder Elektromobilität. (Bild: Infineon)
Die MOSFETs bieten ein verbessertes Schaltverhalten bei höheren Strömen. Außerdem sind die Reverse-Recovery-Ladung (Qrr) und die Drain-Source-Ladung (Qoss) der neuen MOSFETs um 80 Prozent niedriger als bei der Silizium-Referenz. Die reduzierten Schaltverluste ermöglichen Hochfrequenzbetrieb bei kleineren Systemgrößen und damit eine höhere Effizienz und Leistungsdichte. Die Trench-Technologie ist die Grundlage für eine gute Zuverlässigkeit des Gate-Oxids. Zusammen mit einer verbesserten Avalanche- und Kurzschluss-Robustheit sorgt dies für eine höhere Zuverlässigkeit des Gesamtsystems – auch in rauen Umgebungen. Die SiC-MOSFETs eignen sich für Topologien mit wiederholter harter Kommutierung sowie für hohe Temperaturen und raue Betriebsbedingungen. Aufgrund eines niedrigen Einschaltwiderstands (RDS(on)) in Abhängigkeit von der Temperatur bieten die Bauteile zudem ein gutes thermisches Verhalten.
Mit einem weiten Gate-Source-Spannungsbereich (VGS) von -5 V bis 23 V, der Unterstützung von 0 V Abschalt-VGS und einer Gate-Source-Schwellenspannung (VGS(th)) von mehr als 4 V arbeitet die Bauelemente-Familie auch mit Standard-MOSFET-Gate-Treiber-ICs. Darüber hinaus ermöglicht die Produktfamilie bidirektionale Topologien und volle dv/dt-Steuerbarkeit. Zusätzlich reduziert sie die Systemkosten und -komplexität und ermöglicht eine einfache Adaption und Integration. Die .XT-Verbindungstechnologie verbessert die thermischen Eigenschaften des Gehäuses. So können im Vergleich zu einer Standardverbindung bis zu 30 Prozent zusätzliche Verluste abgeleitet werden. Das D²PAK-7-Pin-Portfolio an SiC-MOSFETs umfasst zehn Produkte.
Die SiC-MOSFETs eignen sich für Hochleistungsanwendungen wie Server, Telekommunikation, Industrie-SMPS, schnelles Laden von Elektrofahrzeugen, Motorantriebe, Solarenergiesysteme, Energiespeichersysteme und Batterieformation.
