Der GaN-HEMT hat einen Einschaltwiderstand von 7,8 mΩ und kann bidirektional sperren.

Der GaN-HEMT hat einen Einschaltwiderstand von 7,8 mΩ und kann bidirektional sperren. (Bild: Innoscience)

Der GaN-HEMT kann bidrektional sperren und hat einen Einschaltwiderstand von 7,8 mΩ. Erreicht wird dies durch die InnoGaN-Strain-Enhancement-Layer-Technologie, die den Flächenwiderstand um 66 Prozent reduziert. Die Gate-Ladung (QG) beträgt 12,7 nC (typ.). Das 5×5-Grid-Wafer-Level-Chip-Scale-Gehäuse (WLCSP) ist 2 × 2 mm² groß. Die geringen Abmessungen des GaN-HEMTs ermöglichen es, das Bauteil problemlos in kleine Mobilgeräte zu integrieren.

Typische Anwendungen sind High-Side-Lastschalter, Überspannungsschutz im USB-Anschluss eines Mobilgeräts sowie diverse Stromversorgungen, Ladegeräte und Netzadapter. Die GaN-Technologie von Innoscience ermöglicht es, zwei Silizium-MOSFETs durch einen einzigen InnoGaN- (oder BiGaN-) Transistor zu ersetzen – das Ergebnis sind effizientere und kleinere Überspannungsschutzschaltungen (OVP). Dies reduziert die Gesamtkosten für den Überspannungsschutz und macht die OVP-Schaltung kompakter, was angesichts des Platzmangels auf der Leiterplatte mobiler Geräte wichtig ist.

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