Der Dual-20-Volt-Leistungsmosfet SiA921EDJ in P-Kanal-Trenchfet-Gen-III-Technologie ergänzt ab sofort Vishays Produktspektrum. Der im kompakten 2 x 2 mm großen Powerpak SC-70-Gehäuse untergebrachte Baustein weist einen On-Widerstand auf, der um bis zu 44 % niedriger ist als der vorheriger Generationen. Werte: 59 m? bei 4,5 Vgs beziehungsweise
98 m? bei 2,5 Vgs. Dadurch lassen sich die Schaltverluste erheblich reduzieren und Lasten mit hoher Leistung bei niedrigem Energieeinsatz schalten. Folge: Der Anwender kann seinen Stromverbrauch erheblich senken und die Akkulaufzeit deutlich erhöhen. Applikationsbereiche: DC/DC-Abwärtsregler sowie Lastschalter in tragbaren Geräten wie Mobiltelefone, Smart Phones, PDA und MP3-Player. Der Hersteller bietet die halogenfreie Leistungskomponente ab sofort in Muster- und Produktionsstückzahlen bei einer Lieferzeit von 10 bis 12 Wochen an.
Elektronik-Entwicklung
Leistungsmosfet
Der Dual-20-Volt-Leistungsmosfet SiA921EDJ in P-Kanal-Trenchfet-Gen-III-Technologie ergänzt ab sofort Vishays Produktspektrum.