Das Polar-PAK-Gehäuse der Komponente sorgt für eine bessere Wärmeabfuhr in Hochstromanwendungen
„Vishay Intertechnology präsentiert eine monolithisch integrierte 30-Volt-Leistungsmosfet-Schottky-Dioden-Kombination in einem Gehäuse, das sowohl über die Ober- als auch die Unterseite Wärme ableitet“, kommentiert Spiro Zefferys, Produktmanager von Vishay in Malvern, Pennsylvania mit Stolz. Der Skyfet SiE726DF weist nach Unternehmensaussagen ein verbessertes Leistungsverhalten in Systemen mit erzwungener Luftkühlung auf. Der Leistungsbaustein im Polar-
PAK-Gehäuse realisiert in Hochstrom-
und Hochfrequenzanwendungen höhere Wirkungsgrade und ist für den Ein-
satz als Low-Side-Schalter in Syn-
chrongleichrichtern für Hochstrom-DC/DC-Wandler, VRM-Anwendungen oder Point-of-Load-Stromversorgungen in Servern und Telekomsystemen ausgelegt.
Vorteil: ein niedriger On-Widerstand von maximal 0,0024 Ohm bei 10 Volt Gate-Spannung sowie eine um 50 Prozent höhere Strombelastbarkeit im Vergleich zu Bauteilen im SO-8-Gehäuse gleicher Größe ohne Kühlkörper. Die Komponente verfügt über eine Gate-Ladung von 50 Nanocoulomb und ein niedriges
Verhältnis von Gate-Drain-Ladung
zu Gate-Source-Ladung (QGD:QGS), was ein niedrigers Shoot-Through-Risiko zur Folge hat. „Die Qrr- und VSD-Werte sind mit 30 Nanocoulomb beziehungsweise 0,37 Volt nicht einmal halb so groß wie bei ei-
nem Standard-Mosfet“, erklärt Spiro Zef-ferys. Er führt fort: „So verringern sich
die Parasitäreffekte und die Leistungsverluste durch die Body-Diode des Mosfets; das Ergebnis ist ein höherer Wirkungsgrad. Dadurch, dass die Schottky-Diode mit
auf den Chip integriert ist, können Entwickler kleinere, kompaktere Schaltungen entwickeln und zugleich Kosten einsparen.“ (eck)
