| von vollmer

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Rohm Semiconductor

SiC-Bausteine benötigen im Vergleich zu Si-Bausteinen durch ihren niedrigen Drift-Schicht-Widerstand keine Leitfähigkeitsmodulation, um einen niedrigen On-Widerstand zu erreichen. MOSFETs erzeugen im Prinzip keinen Tail-Strom. Als Ergebnis haben ROHMs kompakte SiC-MOSFETs viel niedrigere Schaltverluste als beispielsweise IGBTs, was höhere Schaltfrequenzen, kleinere passive Komponenten und kleinere, kostengünstigere Kühlsysteme ermöglicht. Das 18-seitige Whitepaper beschreibt im Detail die Vorteile dieser Technologie für die verschiedenen Applikationsbereiche.

(av)

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