Die MEMS-Mikrofone in Dual-Backplate-Technologie erreichen ein SRV von 70 dB. Damit verdoppelt sich die Entfernung, von der aus das Mikrofon Sprachbefehle sauber erfassen kann.

Die MEMS-Mikrofone in Dual-Backplate-Technologie erreichen ein SRV von 70 dB. Damit verdoppelt sich die Entfernung, von der aus das Mikrofon Sprachbefehle sauber erfassen kann. (Bild: Infineon)

Die analogen und digitalen MEMS-Mikrofone basieren auf der Dual-Backplate-Technologie von Infineon, die ein Signal-Rausch-Verhältnis (SRV) von 70 dB ermöglicht. Erst bei einem Schalldruckpegel von 135 dB erreichen die Mikrofone einen Verzerrungsgrad von zehn Prozent. Untergebracht in einem 4 mm x 3 mm x 1,2 mm großen Gehäuse eignen sich die Mikrofone für qualitativ hochwertig Akustikaufnahmen und die Spracherkennung bei großen Entfernungen.

Die aktuelle MEMS-Mikrofontechnologie verwendet eine schallwellengesteuerte Membran mit einer statischen Rückelektrode. Infineons Dual-Backplate-MEMS-Technologie nutzt dagegen eine Membran, die zwischen zwei Rückelektroden eingebettet ist. Das erzeugt ein präziseres Signal für eine verbesserte Hochfrequenz-Immunität und damit eine bessere Verarbeitung der Audiosignale. Die akustische Verzerrung von zehn Prozent Total Harmonic Distortion (THD) erreichen die MEMS-Mikrofone bei Schalldruck von 135 dB.

Im Vergleich zu herkömmlichen Modellen erreichen die MEMS-Mikrofone von Infineon ein um 6 dB höheres SRV. Damit verdoppelt sich die Entfernung, von der aus das Mikrofon die Sprachbefehle eines Benutzers noch sauber erfassen kann. Mit ±1 dB Empfindlichkeits- und ±2° Phasenübereinstimmung lassen sich die Mikrofone ideal in Mikrofonanordnungen (Arrays) einbetten. Die MEMS-Mikrofone eignen sich deshalb ideal für die hochpräzise Strahlenbündelung sowie Rauschunterdrückung. Muster der Mikrofone im Gehäuse sind ab Q4/2017 erhältlich. Die Serienproduktion beginnt in Q1/2018.

(na)

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