Die SBD-Module mit 700, 1200 und 1700 V basieren auf der neuesten Generation von SiC-ICs, die zuverlässige, robuste und dauerstabile Anwendungen ermöglichen.

Die SBD-Module mit 700, 1200 und 1700 V basieren auf der neuesten Generation von SiC-ICs, die zuverlässige, robuste und dauerstabile Anwendungen ermöglichen. (Bild: Microchip)

| von Gunnar Knuepffer

Das SiC-Angebot (Siliziumkarbid) von Microchip umfasst kommerzielle Leistungsmodule auf Basis der Schottky-Barrier-Diode (SBD). Die Module sind in verschiedenen Topologien erhältlich, daruner Dual-Diode, Vollbrücke, Phasenstrang, duale gemeinsame Kathode und 3-Phasen-Brücke. Zur Verfügung stehen außerdem verschiedene Strom- und Gehäuseoptionen.

Der Einsatz von SiC-SBD-Modulen vereinfacht das Design durch mehrere SiC-Dioden-ICs mit der Option, Substrat- und Baseplate-Material in einem einzigen Modul zu vereinen und anzupassen. Dies maximiert die Schalteffizienz und reduziert die Wärmeentwicklung und den Platzbedarf. Die hohe Lawinenleistungsfähigkeit der Bausteine verringert den Bedarf an Dämpfungs-/Snubberschaltkreisen, und die Stabilität der Body-Diode sorgt dafür, dass die intene Body-Diode ohne langfristige Beeinträchtigung arbeitet. Als Tools stehen eine 30-kW-3-Phasen-Vienna-Leistungsfaktorkorrektur (PFC), diskrete SiC- und SP3-/SP6LI-Modul-Antriebsreferenzdesigns/-boards zur Verfügung, mit denen sich die Entwicklungsdauer verkürzt.

(na)

Kostenlose Registrierung

Newsletter
Bleiben Sie stets zu allen wichtigen Themen und Trends informiert.
Das Passwort muss mindestens acht Zeichen lang sein.

Ich habe die AGB, die Hinweise zum Widerrufsrecht und zum Datenschutz gelesen und akzeptiere diese.

*) Pflichtfeld

Sie sind bereits registriert?