Die SBD-Module mit 700, 1200 und 1700 V basieren auf der neuesten Generation von SiC-ICs, die zuverlässige, robuste und dauerstabile Anwendungen ermöglichen.

Die SBD-Module mit 700, 1200 und 1700 V basieren auf der neuesten Generation von SiC-ICs, die zuverlässige, robuste und dauerstabile Anwendungen ermöglichen. (Bild: Microchip)

Das SiC-Angebot (Siliziumkarbid) von Microchip umfasst kommerzielle Leistungsmodule auf Basis der Schottky-Barrier-Diode (SBD). Die Module sind in verschiedenen Topologien erhältlich, daruner Dual-Diode, Vollbrücke, Phasenstrang, duale gemeinsame Kathode und 3-Phasen-Brücke. Zur Verfügung stehen außerdem verschiedene Strom- und Gehäuseoptionen.

Der Einsatz von SiC-SBD-Modulen vereinfacht das Design durch mehrere SiC-Dioden-ICs mit der Option, Substrat- und Baseplate-Material in einem einzigen Modul zu vereinen und anzupassen. Dies maximiert die Schalteffizienz und reduziert die Wärmeentwicklung und den Platzbedarf. Die hohe Lawinenleistungsfähigkeit der Bausteine verringert den Bedarf an Dämpfungs-/Snubberschaltkreisen, und die Stabilität der Body-Diode sorgt dafür, dass die intene Body-Diode ohne langfristige Beeinträchtigung arbeitet. Als Tools stehen eine 30-kW-3-Phasen-Vienna-Leistungsfaktorkorrektur (PFC), diskrete SiC- und SP3-/SP6LI-Modul-Antriebsreferenzdesigns/-boards zur Verfügung, mit denen sich die Entwicklungsdauer verkürzt.

(na)

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