Auch für Anwendungen im Automobilbereich geeignet: 1200-V-Schottky-Diode von Mitsubishi Electric auf Basis der SIC-Technologie. (Bild: Mitsubishi Electric)
Die neu auf den Markt kommenden Bauteile liefern eine verbesserte Verlustleistung, ein flexibles Design (Topologie) und kleine Baugrößen der Peripherikomponenten. Energieverluste lassen sich um bis zu 21 Prozent reduzieren, zusätzlich ermöglicht es der Übergang zu höheren Schaltfrequenzen, kompaktere Peripheriekomponenten einzusetzen.
Gerade in den Bereichen Industrie, Schienenverkehr und Klimatechnologie gewinnen Schottky-Dioden an Bedeutung. Insbesondere aber eigenen sie sich für die Photovoltaik sowie das Laden von Elektrofahrzeugen. Die 1200-SiC-Dioden in den Stromklassen 10 A und 20 A sowie in den diskreten Gehäusetypen TO-247 und TO-247-2 erhältlich.
(prm)
