Das MOSFET-Relais G3VM-21MT minimiert den Leckstrom für eine hohe Testgenauigkeit. (Bild: Omron)
Dank seiner T-Schaltungsstruktur bietet das Omron G3VM-21MT einen niedrigen Ableitstrom von höchstens 1 pA. Früher wurden in Halbleitertest- und anderen Prüfgeräten mechanische Relais wegen ihres geringen Leckstroms bevorzugt. Doch mechanische Relais haben aufgrund von Kontaktverschleiß, der die Messgenauigkeit im Laufe der Zeit herabsetzt, eine deutlich geringere Lebensdauer.
Mit einer „T-Type“-Schaltungsstruktur, durch die ein Großteil des Leckstroms gegen Masse zur Erde abfließt, verbindet Omrons G3VM-21MT die Vorteile mechanischer und MOSFET-Relais und ermöglicht eine genauen und kompakte Schaltlösung ohne mechanische Kontakte.
Durch den Einbau des T-Schaltkreises in das Modul wird eine Baugröße von nur 5 mm × 3,75 mm × 2,7 mm erreicht. Das SMD-Bauelement wird als einpoliger Einschalter (SPST) angeboten, eine Konfiguration ist nicht erforderlich. Weitere Merkmale sind eine maximale Lastspannung von 20 V und eine Isolationsleistung von unter -30 dB bei 1 GHz.
Omron hat weitere T-Circuit MOSFET-Relaismodule in Planung, darunter Hochstrom- und Hochspannungsmodelle.
(neu)
