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Der Zweifachmosfet von Diodes, ZXMC10A816, besteht aus einem komplementären Paar 100-V-Enhancement-Mode-Mosfets im S08-Gehäuse. Der Baustein erreicht die gleiche Leistung wie größere, einzeln gehäuste Bauteile. Einsatzbereiche: H-Brücken-Ansteuerungen in Gleichstromlüftern und Inverterschaltungen oder Ausgangsstufen von Class-D-Ver­stärkern. Eigenschaften: niedrige Gate-Kapazität, RDS(on) von 230 bzw. 235 m? bei VGS von 10 V.

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