Das Gehäuse des SiC-Gleichrichtermoduls von Nexperia und Kyocera ist für den Betrieb bei einer Sperrschichttemperatur von bis zu 175 °C qualifiziert. (Bild: Nexperia)
Nexperia ist eine Partnerschaft mit Kyocera AVX Components (Salzburg) eingegangen, um gemeinsam ein 650 V, 20 A Siliziumkarbid-Gleichrichtermodul (SiC) zu produzieren. Das Modul ist für Hochfrequenz-Leistungsanwendungen im Bereich von 3 bis 11 kW Power-Stack-Designs vorgesehen, die auf Anwendungen wie industrielle Stromversorgungen, EV-Ladestationen und Onboard-Ladegeräte ausgerichtet sind.
Die kompakte Grundfläche des Moduls trägt dazu bei, die Leistungsdichte zu erhöhen und gleichzeitig Platz auf der Leiterplatte zu sparen. Für die thermische Leistung sorgt eine Kombination aus Oberseitenkühlung (TSC) und integriertem NTC-Sensor (negativer Temperaturkoeffizient), der die Bauteiltemperatur überwacht und Echtzeit-Feedback für Prognosen und Diagnosen auf Geräte- oder Systemebene liefert. Das Modul verfügt über ein Gehäuse mit niedriger Induktivität, das einen Hochfrequenzbetrieb ermöglicht und für den Betrieb bei einer Sperrschichttemperatur von bis zu 175 °C qualifiziert ist.
Muster der neuen SiC-Gleichrichtermodule sollen im ersten Quartal 2024 verfügbar sein.
SiC: Technologie, Effizienz, Miniaturisierung
Elektronik für die Zukunft - Vor dem Hintergrund der globalen Erwärmung, die insbesondere künftige Generationen bedroht, steigt die Nachfrage nach energieeffizienten Geräten. Der Einsatz der SiC-Technologie führt zu erheblichen Energieeinsparungen und CO₂-Reduzierung. In diesem Kanal informiert ROHM über Schlüsseltechnologien, Produktionsprozesse und Dienstleistungen.
