Automobilhersteller wollen in E-Autos Energiewandler mit bestmöglicher Energieeffizienz einsetzen – GaN-Leistungshalbleiter könnte sich als Mainstream-Technologie für diesen Bereich etablieren. (Bild: Nexperia)
UAES setzt GaN-Feldeffekttransistoren (FETs) des niederländischen Halbleiterbauelemente-Hersteller Nexperia bereits in F&E- und Kooperationsprojekten ein, unter anderem in fahrzeuginternen Ladegeräten und Hochspannungs-DC/DC-Wandlern für Elektroautos. Nach den Worten von Paul Zhang, SVP Sales & Marketing und General Manager bei Nexperia China, soll die verstärkte Zusammenarbeit bei GaN-Bauelementen beiden Unternehmen helfen, ihren Kunden effizientere Lösungen für die Energieversorgungssysteme von E-Autos zu liefern. „Wir beabsichtigen, unsere Investitionen weiter auszubauen und gemeinsam ein Labor für die Entwicklung automobiler GaN-Anwendungen zu schaffen“, sagte Zhang. Ein Manager von UAES, an dem der deutsche Bosch-Konzern beteiligt ist, ergänzte: „Die Partnerschaft mit Nexperia wird uns helfen, Bauteile einzusparen, die Kosten zu senken, die Leistungsdichte zu erhöhen und die Zuverlässigkeit und Effektivität des Gesamtsystems zu steigern.“ UAES ist spezialisiert auf Entwicklung, Produktion und Vertrieb von Steuerungssystemen für Verbrennungsmotoren, Getriebeeinheiten, Karosserieelektronik sowie Hybrid- und Elektroantriebe.
Milliardensummen: Nexperia investiert in die Produktion und F&E
Der Halbleiterbauelemente-Hersteller Nexperia wird im Laufe des Jahres 2021 „in großem Maßstab“ in die Erweiterung seiner Produktionskapazitäten, unter anderem in Hamburg, investieren sowie in die Forschung & Entwicklung (F&E).
(dw)
