Onsemi zeigt SUPERFRET-V-MOSFETs für Server und Telekommunikation

Die drei Varianten der 600-V-SUPERFET-V-MOSFET-Reihe – FAST, Easy Drive und FRET – sind so ausgelegt, dass sie in einer Vielzahl von Anwendungen und Topologien eine hohe Leistungsfähigkeit bieten. Sie bieten sehr gute Schalteigenschaften und ein geringes Gate-Rauschen, was zu einem verbesserten EMI-Verhalten führt. Darüber hinaus verbessert sich die Systemzuverlässigkeit durch eine robuste Body-Diode und erhöhte UGSS (DC ±30 V).

Die FAST-Versionen bieten hohe Effizienz in Hard-Switching-Topologien (wie Highend-Leistungsfaktorkorrektur/PFC) und sind auf geringe Gate-Ladung (Q_g) und E_OSS-Verluste getrimmt, um schnelles Schalten zu ermöglichen. Zu den ersten Bausteinen zählen der NTNL041N60S5H (41 mΩ R_DS(on)) und der NTHL185N60S5H (185 mΩ R_DS(on)), die beide im TO-247-Gehäuse ausgeliefert werden. Der NTP185N60S5H befindet sich im TO-220-Gehäuse und der NTMT185N60S5H im 8mm × 8mm × 1mm großen Power88-Gehäuse, das MSL 1 garantiert und über eine Kelvin-Source-Konfiguration zu einem verbesserten Gate-Rauschen und geringeren Schaltverlusten beiträgt.

Die Easy-Drive-Versionen eignen sich für Hard- und Soft-Switching-Topologien und enthalten einen internen Gate-Widerstand (R_g) sowie eine optimierte interne Kapazität. Sie eignen sich für den universellen Einsatz in vielen Anwendungen, einschließlich PFC und LLC. Die integrierte Zener-Diode zwischen Gate- und Source-Elektrode sorgt mit über 120 mΩ R_DS(on) für eine geringere Belastung des Gate-Oxids und höhere ESD-Robustheit, was zu einer besseren Bestückungsausbeute und weniger Ausfällen im Feld führt. Aktuell sind zwei Bausteine mit 99 und 120 mΩ R_DS(on) erhältlich – der NTHL099N60S5 und NTHL120N60S5Z werden beide im TO-247-Gehäuse ausgeliefert.

Die Fast-Recovery-/FRFET-Versionen eignen sich für Soft-Switching-Topologien wie phasenverschobene Vollbrücke (PSFB) und LLC. Sie bieten eine schnelle Body-Diode sowie reduzierte Q_rr- und T_rr-Werte. Die Robustheit der Diode erhöht die Systemzuverlässigkeit. Der NTP125N60S5FZ mit integrierter Zenerdiode bietet 125 mΩ R_DS(on) im TO-220-Gehäuse; der NTMT061N60S5F bietet 61 mΩ im Power88-Gehäuse. Der MOSFET mit dem geringsten Verlust ist der NTHL019N60S5F mit einem R_DS(on) von nur 19 mΩ im TO-247-Gehäuse.