Die MOSFETs bieten sehr gute Schalteigenschaften und ermöglichen Netzteile mit einem Wirkungsgrad von 80 PLUS Titanium.

Die MOSFETs bieten sehr gute Schalteigenschaften und ermöglichen Netzteile mit einem Wirkungsgrad von 80 PLUS Titanium. (Bild: Onsemi)

Die drei Varianten der 600-V-SUPERFET-V-MOSFET-Reihe – FAST, Easy Drive und FRET – sind so ausgelegt, dass sie in einer Vielzahl von Anwendungen und Topologien eine hohe Leistungsfähigkeit bieten. Sie bieten sehr gute Schalteigenschaften und ein geringes Gate-Rauschen, was zu einem verbesserten EMI-Verhalten führt. Darüber hinaus verbessert sich die Systemzuverlässigkeit durch eine robuste Body-Diode und erhöhte UGSS (DC ±30 V).

Die FAST-Versionen bieten hohe Effizienz in Hard-Switching-Topologien (wie Highend-Leistungsfaktorkorrektur/PFC) und sind auf geringe Gate-Ladung (Qg) und EOSS-Verluste getrimmt, um schnelles Schalten zu ermöglichen. Zu den ersten Bausteinen zählen der NTNL041N60S5H (41 mΩ RDS(on)) und der NTHL185N60S5H (185 mΩ RDS(on)), die beide im TO-247-Gehäuse ausgeliefert werden. Der NTP185N60S5H befindet sich im TO-220-Gehäuse und der NTMT185N60S5H im 8mm × 8mm × 1mm großen Power88-Gehäuse, das MSL 1 garantiert und über eine Kelvin-Source-Konfiguration zu einem verbesserten Gate-Rauschen und geringeren Schaltverlusten beiträgt.

Die Easy-Drive-Versionen eignen sich für Hard- und Soft-Switching-Topologien und enthalten einen internen Gate-Widerstand (Rg) sowie eine optimierte interne Kapazität. Sie eignen sich für den universellen Einsatz in vielen Anwendungen, einschließlich PFC und LLC. Die integrierte Zener-Diode zwischen Gate- und Source-Elektrode sorgt mit über 120 mΩ RDS(on) für eine geringere Belastung des Gate-Oxids und höhere ESD-Robustheit, was zu einer besseren Bestückungsausbeute und weniger Ausfällen im Feld führt. Aktuell sind zwei Bausteine mit 99 und 120 mΩ RDS(on) erhältlich – der NTHL099N60S5 und NTHL120N60S5Z werden beide im TO-247-Gehäuse ausgeliefert.

Die Fast-Recovery-/FRFET-Versionen eignen sich für Soft-Switching-Topologien wie phasenverschobene Vollbrücke (PSFB) und LLC. Sie bieten eine schnelle Body-Diode sowie reduzierte Qrr- und Trr-Werte. Die Robustheit der Diode erhöht die Systemzuverlässigkeit. Der NTP125N60S5FZ mit integrierter Zenerdiode bietet 125 mΩ RDS(on) im TO-220-Gehäuse; der NTMT061N60S5F bietet 61 mΩ im Power88-Gehäuse. Der MOSFET mit dem geringsten Verlust ist der NTHL019N60S5F mit einem RDS(on) von nur 19 mΩ im TO-247-Gehäuse.

 

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