Im Vergleich zur Vorgängerversion ist der Einschaltwiderstand der SiC-MOSFETs der 4. Generation von Rohm um 40 Prozent niedriger. (Bild: Rohm)
Bei Leistungshalbleitern besteht zwischen niedrigerem Einschaltwiderstand RDS(on) und der Kurzschlussfestigkeit oft eine wechselseitige Beziehung, die bei SiC-MOSFETs für das Erreichen eines niedrigeren Einschaltwiderstands erforderlich ist. Die Effekte hat Rohm laut eigenen Aussagen verbessern können, was in einem um 40 Prozent reduzierten Einschaltwiderstand pro Flächeneinheit bei der 4. Generation an SiC-MOSFETs im Vergleich zum Vorgängermodell resultiert.
Durch weitere Verbesserungen der proprietären Doppel-Trench-Struktur gelang dies ohne Einbußen bei der Kurzschlussfestigkeit. Darüber hinaus konnte der Hersteller durch eine Reduzierung der parasitären Kapazitäten im Schaltkreis den Schaltverlust im Vergleich zur Vorgänger-Generation um 50 Prozent verringern. Mit niedrigem Einschaltwiderstand und hoher Schaltgeschwindigkeit tragen die SiC-MOSFETs zu einer stärkeren Miniaturisierung und einer geringeren Stromaufnahme in einer Vielzahl von Anwendungen bei, einschließlich Wechselrichtern und Schaltnetzteilen in der Automobilindustrie. Muster von Bare-Chips sind ab sofort erhältlich. Diskrete Gehäuse sollen in naher Zukunft auch im Angebot sein. Alle für den Automotive-Markt ausgelegten Bausteine sind nach AEC-Q101 qualifiziert.
Um die technischen Innovationen in Fahrzeugen der nächsten Generation voranzutreiben, will Rohm sein Angebot an SiC-Leistungsbauelementen weiter ausbauen und dabei Modularisierungs-Technologien mit Peripheriekomponenten wie Steuer-ICs kombinieren, die auf Leistungsmaximierung ausgelegt sind. Gleichzeitig will der Hersteller Lösungen zur Behebung von Anwenderproblemen anbieten. Dazu gehören webbasierte Simulationstools, die die Arbeitsstunden in der Anwendungsentwicklung reduzieren sollen und zur Vermeidung von Evaluierungsproblemen beitragen.
(na)
