Monolith Semiconductor lässt seine SiC-Leistungsbauelemente von X-Fab in Texas auf 150-mm-Substraten in CMOS-Technologie herstellen. (Bild: X-Fab)
Nachdem Littlefuse bereits im Dezember 2016 in Monolith Semiconductor investierte, hält das Unternehmen mit der erneuten Investition jetzt die Mehrheit der Anteile an dem Start-Up. Einer der größten Stolpersteine für die Etablierung von SiC-Bauelementen für die Leistungselektronik waren bisher die hohen Kosten für Substrate und Prozessierung. Monolith entwickelt Prozesse für die Produktion von SiC-Bauelementen in CMOS-Technologie. Damit lassen sich auch Bausteine, die den Spezifizierungen der Automobilindustrie entsprechen, kostengünstig auf 150-mm-Substraten in Volumenproduktion herstellen.
Littelfuse und Monolith traten auf der Applied Power Electronics Conference & Exposition Ende März diesen Jahres das erste Mal gemeinsam unter dem Motto „Making SiC Mainstream“ auf. Unter den vorgestellten und demonstrierten Produkten befinden sich SiC-Leistungsbauelemente wie die Schottky-Dioden der zweiten Generation, die für 1200 V und Ströme von 5 A und 10 A ausgelegt sind. Gefertigt werden die Dioden von der X-Fab in ihrer texanischen Fabrik auf 6-Zoll-Substraten und sind in TO-220-Gehäusen untergebracht. Die Bauelemente sind für den Automotive-Bereich qualifiziert und sollen im Vergleich zu Dioden auf Siliziumbasis um 50 Prozent reduzierte Schaltverluste aufweisen.
Vorgestellt wurden außerdem in CMOS-Technologie hergestellte SiC-MOSFETs für 1200 V und 20 A, die Sperrschichttemperaturen bis 175 °C tolerieren. Laut den Analysten von Yole Dévelopment soll sich der Bedarf an SiC-Leistungshalbleitern im mittleren und Hochvoltbereich bis 2020 global verdoppeln. Das Potenzial für die Optimierung von Si-Leistungsbauelementen ist nahezu ausgeschöpft, während Materialien mit hohen Bandlücken, wie beispielsweise Siliziumkarbid, höhere Nennleistungen bei geringeren Verlusten ermöglichen.
(na)