Der SiC-MOSFET LSIC1MO170E1000 von Littelfuse punktet mit niedriger Gate-Ladung und kleiner Output-Kapazität.

Der SiC-MOSFET LSIC1MO170E1000 von Littelfuse punktet mit niedriger Gate-Ladung und kleiner Output-Kapazität. (Bild: Littelfuse)

Von der Vorteilen der SiC-MOSFET-Technologie profitieren anspruchsvolle Anwendungsgebiete wie elektrische und Hybridfahrzeuge, Datencenter und Stromversorungen. Im Vergleich zu Si-IGBTs ermöglichst der LSIC1MO170E1000 zahlreiche Optimierungen wie eine erhöhte Effizienz und Leistungsdichte, geringeren Aufwand bei der Kühlung und potenziell weniger Systemkkosten. Zum Einsatz kommt der Baustein auch in Solar-Umrichtern, Motorantrieben und DC/DC-Hochspannungswandler.

Untergebracht ist der MOSFET mit 1700 V und 1 Ω im TO-247-3L-Gehäuse. Er ist optimiert für effiziente Hochfrequenzanwendungen, hat eine niedrige Gate-Ladung und geringe Output-Kapazität, einen kleinen Gate-Widerstand und soll geringe Schaltverluste aufweisen. Erhältlich ist der Baustein in Verpackungseinheiten von 450 Stück.

(na)

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