Elektronik-Entwicklung

29. Mai. 2020 | 08:00 Uhr | von Gunnar Knuepffer

Ströme von 1 A bis 3 A

SiGe-Gleichrichter von Nexperia für thermische Stabilität

Nexperia hat mit der PMEG-Baureihe (PMEGxGxELR/P) Silizium-Germanium-Gleichrichter (SiGe-Gleichrichter) mit Sperrspannungen von 120 V, 150 V und 200 V entwickelt, welche die hohen Wirkungsgrade von Schottky-Dioden und die thermische Stabilität von Fast-Recovery-Dioden in sich vereinen.

Die SiGe-Gleichrichter sind für Ströme von 1 A bis 3 A ausgelegt.

Die SiGe-Gleichrichter sind für Ströme von 1 A bis 3 A ausgelegt. (Bild: Nexperia)

Die SiGe-Gleichrichter für Ströme von 1 A bis 3 A sind für die Märkte Automotive, Kommunikationsinfrastruktur sowie Server konzipiert und lassen sich im erweiterten sicheren Betriebsbereich bis 175 °C nutzen, ohne dass die Bauteile thermisch instabil werden. Durch eine niedrige Durchlassspannung Vf und kleine Qrr-Werte sollen die SiGe-Gleichrichter Vorteile bei Leitungs- und Schaltverlusten bieten und sich im Gegensatz zu PN-Dioden auf einen höheren Wirkungsgrad in Hochtemperatur-Umgebungen optimieren lassen.

Ein Kupferclip verringert den Wärmewiderstand und verbessert die Ableitung der Wärme in den Umgebungsbereich, was kleinere und kompakt ausgelegte Leiterplatten-Designs ermöglicht. Darüber hinaus ist beim Wechsel zur SiGe-Technologie der pinkompatible Ersatz von PN- und Schottky-Dioden möglich. Die gemäß AEC-Q101 zugelassenen SiGe-Bauelemente sind in thermisch modifizierten CFP3- und CFP5-Packages erhältlich.

(aok)

Unternehmen

Nexperia-1

Jonkerbosplein 52
6534 AB Nijmegen
Germany

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