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Die RF GaN-on-Silicon-Technik birgt ein großes Potenzial für die 5G- und 6G-Infrastruktur. Daher wollen STMicroelectronics und Macom die Technologie voranbringen. (Bild: chesky – Adobe Stock)

Die Halbleiterhersteller STMicroelectronics (ST) und Macom Technology Solutions haben die Produktion von RF-GaN-on-Si-Prototypen (Radio-Frequency Gallium-Nitride-on Silicon) bekanntgegeben. Diese Technik birgt großes Potenzial für die 5G- und 6G-Infrastruktur, denn GaN wartet mit besseren HF-Eigenschaften und mehr Ausgangsleistung auf als die lange vorherrschende LDMOS-Technologie. GaN-Bauelemente lassen sich auf der Basis von Silizium- (Si) oder Siliziumkarbid-Wafern (SiC) herstellen. Dabei ist RF GaN-on-SiC möglicherweise kostspieliger, weil SiC-Wafer besondere Halbleiterverarbeitungs-Verfahren erfordern. Dagegen lässt sich die bei ST und Macom in der Entwicklung befindliche GaN-on-Si-Technologie in konventionelle Halbleiter-Prozessabläufe integrieren und soll so wettbewerbsfähige Performance und wirkungsvolle Skaleneffekten liefern.

Inzwischen bewegen sich die Prototypen schon auf die Qualifikation und die Industrialisierung zu. Diese Meilensteine will ST im Jahr 2022 erreichen. Außerdem führen beide Unternehmen bereits Gespräche über die zusätzliche Ausweitung der gemeinsamen Bemühungen, um die Belieferung des Markts mit GaN-on-Si-Produkten weiter anzukurbeln.

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